logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
SEOUL LED Chip
Created with Pixso.

CUN0HB4A SEOUL LED Chip Near UV 405nm UV CU6868 Series LED Diodowy Chip

CUN0HB4A SEOUL LED Chip Near UV 405nm UV CU6868 Series LED Diodowy Chip

Nazwa marki: SEOUL
Numer modelu: CUN0HB4A
MOQ: 500szt
Szczegóły opakowania: 500
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Nazwa produktu:
Seul
model:
CUN0HB4A
Typ:
Dioda LED SMD o dużej mocy w zakresie bliskiego ultrafioletu
Temperatura przechowywania:
-40-100 ℃
Napięcie przewodzenia:
Wartość znamionowa 7,3 V
Aplikacja:
Utwardzanie UV, drukowanie, powlekanie, klej, fotografia fluorescencyjna
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

CUN0HB4A UV LED Diodowy Chip

,

SEOUL LED Chip CU6868 Series

,

405nm Near UV LED Diodowy Chip

Opis produktu

Seoul Near UV LED-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 series-CUN0HB4A diody LED


Krótki opis produktu
Opis
Wysokowydajne diody UV są przeznaczone do pracy przy wysokim prądzie i ultra wysokiej mocy.
Wykorzystują najnowocześniejszą konstrukcję SMD i materiał o niskiej odporności termicznej.
Cechy i zalety
Niska odporność termiczna
Typ SMT

Zaprojektowany do pracy przy wysokim prądzie
Kluczowe zastosowania
Utwardzanie UV
Druk

Powlekanie
Klej
Fotografia fluorescencyjna
Latarka UV
Fotografia fluorescencyjna
Wykrywanie wycieków oleju
Inspekcja kryminalistyczna
Wykrywanie wycieków oleju
To wysokowydajne urządzenie LED wykazuje kluczowe parametry elektrooptyczne przy prądzie przewodzenia 2A (w warunkach testowych T s ​= 25 ∘ C, RH = 30%): charakteryzuje się szczytową długością fali 405 nm, strumieniem promieniowania 6,1 W, napięciem przewodzenia 7,3 V, połówkową szerokością widmową 17 nm i kątem promieniowania 70 stopni. Jego maksymalne wartości dopuszczalne obejmują minimalny prąd przewodzenia 0,4 A (typ. 2,0 A), maksymalną temperaturę złącza 125 °C, zakres temperatur pracy od -10 °C do 85 °C, zakres temperatur przechowywania od -40 °C do 100 °C oraz odporność termiczną (złącze do punktu lutowania) 1,8 °C/W.
Przy prądzie przewodzenia 2A, ta dioda LED podlega ustrukturyzowanemu systemowi binowania zdefiniowanemu przez trzy kluczowe parametry: szczytową długość fali (Wp), strumień promieniowania i napięcie przewodzenia (Vf). Dla szczytowej długości fali dostępne są dwa biny: P1 (400–405 nm) i P2 (405–410 nm). Dla strumienia promieniowania dostępne są dwa biny: T55 (5,56–6,12 W) i T61 (6,12–6,73 W). Dla napięcia przewodzenia zdefiniowano trzy biny: Z70 (7,0–7,2 V), Z72 (7,2–7,4 V) i Z74 (7,4–7,6 V). Kod binowania jest skonstruowany w taki sposób, że segmenty Z₁Z₂ oznaczają szczytową długość fali (nm), Z₃Z₄Z₅ reprezentują strumień promieniowania (W), a Z₆Z₇Z₈ wskazują napięcie przewodzenia (V), umożliwiając precyzyjny dobór komponentów do konkretnych wymagań aplikacji.

CUN0HB4A SEOUL LED Chip Near UV 405nm UV CU6868 Series LED Diodowy Chip
CUN0HB4A SEOUL LED Chip Near UV 405nm UV CU6868 Series LED Diodowy Chip