Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип SEOUL

CUN0HB4A СЕУЛ Светодиодный чип ближний УФ 405 нм УФ серия CU6868 Светодиодный чип диод

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

CUN0HB4A СЕУЛ Светодиодный чип ближний УФ 405 нм УФ серия CU6868 Светодиодный чип диод

Название бренда:	SEOUL
Номер модели:	CUN0HB4A
минимальный заказ:	500 шт.
Детали упаковки:	500
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

модель:

CUN0HB4A

Мощный SMD светодиод ближнего ультрафиолета

Температура хранения:

-40-100 ℃

Прямое напряжение:

Номинальное значение 7,3 В

Приложение:

УФ-отверждение, печать, покрытие, клей, флуоресцентная фотография

Поставка способности:

100000

Выделить:

CUN0HB4A УФ светодиодный чип диод

СЕУЛ Светодиодный чип серия CU6868

405 нм ближний УФ светодиодный чип диод

Описание продукта

Seoul Near UV LED-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 series-CUN0HB4A светодиодные чипы

Краткое описание продукта

Описание

• Серия УФ-светодиодов высокой мощности разработана для

работы при высоком токе и приложений с ультравысокой мощностью

вывода.

• Он включает в себя передовой дизайн SMD

и материал с низким тепловым сопротивлением.

Особенности и преимущества

• Низкое тепловое сопротивление

• Тип SMT

• Разработан для работы при высоком токе

Ключевые области применения

• УФ-отверждение

• Печать

• Покрытие

• Клей

• Флуоресцентная фотография

• УФ-фонарь

• Флуоресцентная фотография

• Стоматологическое отверждение

• Криминалистическая экспертиза

• Обнаружение утечек масла

Это высокомощное светодиодное устройство демонстрирует ключевые электрооптические характеристики при прямом токе 2 А (при условиях тестирования ): оно имеет пиковую длину волны 405 нм, мощность излучения 6,1 Вт, прямое напряжение 7,3 В, полуширину спектра 17 нм и угол излучения 70 градусов. Его абсолютные максимальные рейтинги включают минимальный прямой ток 0,4 А (типичный 2,0 А), максимальную температуру перехода 125 °C, диапазон рабочих температур от −10 °C до 85 °C, диапазон температур хранения от −40 °C до 100 °C и тепловое сопротивление (от перехода до точки пайки) 1,8 °C/Вт.

При прямом токе 2 А этот светодиод следует структурированной системе сортировки, определяемой тремя ключевыми параметрами: пиковая длина волны (Wp), мощность излучения и прямое напряжение (Vf). Для пиковой длины волны существует два класса: P1 (400–405 нм) и P2 (405–410 нм). Для мощности излучения доступны два класса: T55 (5,56–6,12 Вт) и T61 (6,12–6,73 Вт). Для прямого напряжения определены три класса: Z70 (7,0–7,2 В), Z72 (7,2–7,4 В) и Z74 (7,4–7,6 В). Код сортировки структурирован таким образом, что сегменты Z₁Z₂ обозначают пиковую длину волны (нм), Z₃Z₄Z₅ представляют мощность излучения (Вт), а Z₆Z₇Z₈ указывают прямое напряжение (В), что позволяет точно выбирать компоненты для конкретных требований применения.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

CUN0HB4A СЕУЛ Светодиодный чип ближний УФ 405 нм УФ серия CU6868 Светодиодный чип диод

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI