Name: Chip LED SEOUL CUN0HB4A Near UV 405nm UV Série CU6868 Chip Diodo LED
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: CUN0HB4A
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	SEOUL
Número do modelo:	CUN0HB4A
Quantidade mínima:	500 PCS
Detalhes da embalagem:	500
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

CUN0HB4A_240909_R1.1.pdf

Nome do produto:

Seul

modelo:

CUN0HB4A

Tipo:

LED SMD quase ultravioleta de alta potência

Temperatura de armazenamento:

-40-100 ℃

Tensão direta:

Valor nominal 7,3 V

Aplicativo:

Cura UV, Impressão, Revestimento, Adesivo, Fotografia de Fluorescência

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

Chip Diodo LED UV CUN0HB4A

Chip LED SEOUL Série CU6868

Chip Diodo LED UV Near 405nm

Descrição do produto

Seoul Near UV LED-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 série-CUN0HB4A chips de diodos LED

Resumo do produto

Descrição

• As séries de LED UV de alta potência são concebidas para:

operação de alta corrente e potência ultra elevada

aplicações de saída.

• Incorpora o SMD de última geração

conceção e material de baixa resistência térmica.

Características e benefícios

• Baixa resistência térmica

• Tipo SMT

• Concebido para operação de alta corrente

Principais aplicações

• Curagem UV

• Impressão

• Revestimento

• Adesivo

• Fotografia por fluorescência

• Tocha UV

• Fotografia por fluorescência

• Cura dentária

• Inspecção Criminal

• Detecção de fugas de óleo

Este dispositivo LED de alta potência apresenta um desempenho eletro-óptico chave a uma corrente de 2A (sob condições de ensaio de): apresenta um comprimento de onda de pico de 405 nm, um fluxo radiante de 6,1 W, uma tensão para a frente de 7,3 V, uma meia largura espectral de 17 nm e um ângulo de radiação de 70 graus.As suas classificações máximas absolutas incluem uma corrente mínima para a frente de 0.4 A (típico 2,0 A), uma temperatura máxima de junção de 125 °C, um intervalo de temperatura de funcionamento de −10 °C a 85 °C, um intervalo de temperatura de armazenamento de −40 °C a 100 °C,com uma resistência térmica (junção com o ponto de solda) de 10,8 °C/W.

A uma corrente para a frente de 2A, este LED segue um sistema estruturado definido por três parâmetros-chave: comprimento de onda de pico (Wp), fluxo radiante e tensão para a frente (Vf).Há dois contentores.Para o fluxo radiante, estão disponíveis dois recipientes: T55 (5,566,12 W) e T61 (6,126,73 W). Para a tensão para a frente, são definidos três recipientes: Z70 (7,07,2 V), Z72 (7,27,4 V),e Z74 (7,4 ∼7,6 V). O código de ligação é estruturado de modo que os segmentos Z1Z2 indiquem o comprimento de onda de pico (nm), Z3Z4Z5 o fluxo radiante (W) e Z6Z7Z8 a tensão para a frente (V),permitindo a seleção precisa de componentes para requisitos específicos de aplicação.

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

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Chip Infineon

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Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

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Chip LED de alta potência

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Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

Chip LED SEOUL CUN0HB4A Near UV 405nm UV Série CU6868 Chip Diodo LED

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

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Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

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