รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป LED โซล

CUN0HB4A โซล ชิป LED ใกล้ UV 405nm UV CU6868 Series ไดโอดเปล่งแสง

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

CUN0HB4A โซล ชิป LED ใกล้ UV 405nm UV CU6868 Series ไดโอดเปล่งแสง

ชื่อแบรนด์:	SEOUL
หมายเลขรุ่น:	CUN0HB4A
ขั้นต่ำ:	500ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	500
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

แบบอย่าง:

CUN0HB4A

พิมพ์:

LED กำลังสูง SMD ใกล้อัลตราไวโอเลต

อุณหภูมิในการจัดเก็บ:

-40-100 ℃

แรงดันไปข้างหน้า:

ค่าพิกัด 7.3V

แอปพลิเคชัน:

การบ่มด้วยรังสียูวี， การพิมพ์， การเคลือบ， กาว， การถ่ายภาพเรืองแสง

สามารถในการผลิต:

100000

เน้น:

CUN0HB4A UV LED ไดโอดเปล่งแสง

โซล ชิป LED CU6868 Series

405nm ใกล้ UV LED ไดโอดเปล่งแสง

รายละเอียดสินค้า

Seoul Near UV LED-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 series-CUN0HB4A led diodes chips

เอกสารสรุปผลิตภัณฑ์

คำอธิบาย

• ซีรีส์ UV LED กำลังสูงได้รับการออกแบบมาสำหรับ

การทำงานกระแสสูงและกำลังสูงพิเศษ

แอปพลิเคชันเอาต์พุต

• รวมการออกแบบ SMD ที่ทันสมัย

และวัสดุที่มีความต้านทานความร้อนต่ำ

คุณสมบัติและประโยชน์

• ความต้านทานความร้อนต่ำ

• ประเภท SMT

• ออกแบบมาสำหรับการทำงานกระแสสูง

แอปพลิเคชันหลัก

• การบ่ม UV

• การพิมพ์

• การเคลือบ

• กาว

• การถ่ายภาพฟลูออเรสเซนต์

• ไฟฉาย UV

• การถ่ายภาพฟลูออเรสเซนต์

• การบ่มฟัน

• การตรวจสอบอาชญากรรม

• การตรวจจับการรั่วไหลของน้ำมัน

อุปกรณ์ LED กำลังสูงนี้แสดงประสิทธิภาพทางไฟฟ้า-แสงที่สำคัญที่กระแสไฟฟ้าไปข้างหน้า 2A (ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบ): มีความยาวคลื่นสูงสุด 405 nm, ฟลักซ์รังสี 6.1 W, แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า 7.3 V, ความกว้างครึ่งสเปกตรัม 17 nm และมุมรังสี 70 องศา การให้คะแนนสูงสุดแน่นอนรวมถึงกระแสไฟฟ้าไปข้างหน้าขั้นต่ำ 0.4 A (ทั่วไป 2.0 A), อุณหภูมิรอยต่อสูงสุด 125 °C, ช่วงอุณหภูมิการทำงาน −10 °C ถึง 85 °C, ช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บ −40 °C ถึง 100 °C และความต้านทานความร้อน (รอยต่อถึงจุดบัดกรี) 1.8 °C/W.

ที่กระแสไฟฟ้าไปข้างหน้า 2A, LED นี้เป็นไปตามระบบการจัดกลุ่มที่มีโครงสร้างซึ่งกำหนดโดยพารามิเตอร์หลักสามประการ: ความยาวคลื่นสูงสุด (Wp), ฟลักซ์รังสี และแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า (Vf) สำหรับความยาวคลื่นสูงสุด มีสองกลุ่ม: P1 (400–405 nm) และ P2 (405–410 nm) สำหรับฟลักซ์รังสี มีสองกลุ่ม: T55 (5.56–6.12 W) และ T61 (6.12–6.73 W) สำหรับแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า มีสามกลุ่ม: Z70 (7.0–7.2 V), Z72 (7.2–7.4 V) และ Z74 (7.4–7.6 V) รหัสการจัดกลุ่มมีโครงสร้างเพื่อให้ส่วน Z₁Z₂ แสดงถึงความยาวคลื่นสูงสุด (nm), Z₃Z₄Z₅ แสดงถึงฟลักซ์รังสี (W) และ Z₆Z₇Z₈ แสดงถึงแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า (V) ทำให้สามารถเลือกส่วนประกอบได้อย่างแม่นยำตามข้อกำหนดแอปพลิเคชันเฉพาะ.

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

CUN0HB4A โซล ชิป LED ใกล้ UV 405nm UV CU6868 Series ไดโอดเปล่งแสง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI