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CUN0HB4A 서울 LED 칩 근접 UV 405nm UV CU6868 시리즈 LED 다이오드 칩

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CUN0HB4A 서울 LED 칩 근접 UV 405nm UV CU6868 시리즈 LED 다이오드 칩

브랜드 이름:	SEOUL
모델 번호:	CUN0HB4A
MOQ:	500PCS
포장 세부사항:	500
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

CUN0HB4A

고전력 SMD 근자외선 LED

보관 온도:

-40-100 00

순방향 전압:

정격값 7.3V

애플리케이션:

UV 경화, 인쇄, 코팅, 접착제, 형광 사진

공급 능력:

100000

강조하다:

CUN0HB4A UV LED 다이오드 칩

서울 LED 칩 CU6868 시리즈

405nm 근접 UV LED 다이오드 칩

제품 설명

서울 근처 UV LED-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 시리즈-CUN0HB4A LED 다이오드 칩

제품 개요

설명

• 고출력 UV LED 시리즈는

고전류 작동 및 초고출력

출력 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

• 최신 SMD

디자인과 저열 저항 재료를 통합했습니다.

특징 및 장점

• 낮은 열 저항

• SMT 타입

• 고전류 작동을 위해 설계됨

주요 응용 분야

• UV 경화

• 인쇄

• 코팅

• 접착제

• 형광 사진

• UV 토치

• 형광 사진

• 치과용 경화

• 범죄 수사

• 오일 누출 감지

이 고출력 LED 장치는 2A의 순방향 전류(테스트 조건: )에서 주요 전기-광학 성능을 나타냅니다. 405nm의 피크 파장, 6.1W의 복사속, 7.3V의 순방향 전압, 17nm의 스펙트럼 반치폭, 70도의 방사각을 특징으로 합니다. 절대 최대 정격에는 0.4A의 최소 순방향 전류(일반 2.0A), 125°C의 최대 접합 온도, -10°C ~ 85°C의 작동 온도 범위, -40°C ~ 100°C의 저장 온도 범위, 1.8°C/W의 열 저항(접합부-솔더 포인트)이 포함됩니다.

2A의 순방향 전류에서 이 LED는 피크 파장(Wp), 복사속 및 순방향 전압(Vf)의 세 가지 주요 매개변수로 정의된 구조화된 비닝 시스템을 따릅니다. 피크 파장의 경우 두 가지 비닝이 있습니다: P1 (400–405nm) 및 P2 (405–410nm). 복사속의 경우 두 가지 비닝이 있습니다: T55 (5.56–6.12W) 및 T61 (6.12–6.73W). 순방향 전압의 경우 세 가지 비닝이 정의됩니다: Z70 (7.0–7.2V), Z72 (7.2–7.4V) 및 Z74 (7.4–7.6V). 비닝 코드는 Z₁Z₂가 피크 파장(nm)을 나타내고, Z₃Z₄Z₅가 복사속(W)을 나타내며, Z₆Z₇Z₈이 순방향 전압(V)을 나타내도록 구성되어 특정 애플리케이션 요구 사항에 대한 정확한 부품 선택을 가능하게 합니다.

태그:

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CUN0HB4A 서울 LED 칩 근접 UV 405nm UV CU6868 시리즈 LED 다이오드 칩

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