logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast body diode 650V napięcie przebicia Zmniejszone straty przełączania

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast body diode 650V napięcie przebicia Zmniejszone straty przełączania

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IPW65R041CFD
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
IPW65R041CFD
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Temperatura pracy:
- 55°C ~ + 150°C
Rozpraszanie mocy:
500 W
Styl instalacji:
Przez dziurę
Ciągły prąd spustowy:
68,5 A
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IPW65R041CFD Infineon Chip

,

650V MOSFET

,

Ultra Fast Body Diode MOSFET

Opis produktu

Ultra-szybka dioda ciała 650V napięcie przebicia Zmniejszone straty przełączania


650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power Device

Najnowszy 650 V CoolMOS™ CFD7 rozszerza ofertę klas napięciowych rodziny CFD7 i jest następcą 650 V CoolMOS™ CFD2. Dzięki ulepszonej wydajności przełączania i doskonałemu zachowaniu termicznemu, 650 V CoolMOS™ CFD7 oferuje najwyższą wydajność w topologiach przełączania rezonansowego, takich jak LLC i mostek pełny z przesunięciem fazowym (ZVS). Jako część portfolio Infineon’s z ultraszybką diodą ciała, ta nowa seria produktów łączy wszystkie zalety technologii szybkiego przełączania z doskonałą odpornością na twarde komutacje. Technologia CoolMOS™ CFD7 spełnia najwyższe standardy wydajności i niezawodności, a ponadto obsługuje rozwiązania o dużej gęstości mocy.


Funkcje

Ultra-szybka dioda ciała

Napięcie przebicia 650V

Najlepszy w swojej klasie RDS(on)

Zmniejszone straty przełączania

Niska zależność RDS(on) od temperatury


Korzyści
Doskonała odporność na twarde komutacje
Dodatkowy margines bezpieczeństwa dla projektów ze zwiększonym napięciem magistrali
Umożliwienie rozwiązań o zwiększonej gęstości mocy
Wyjątkowa wydajność przy niskim obciążeniu w przemysłowych zastosowaniach SMPS
Poprawiona wydajność przy pełnym obciążeniu w przemysłowych zastosowaniach SMPS
Konkurencyjność cenowa w porównaniu do poprzednich rodzin CoolMOS™

Potencjalne zastosowania
Nadaje się do topologii miękkiego przełączania
Zoptymalizowany do zastosowań w mostku pełnym z przesunięciem fazowym (ZVS), LLC – serwery, telekomunikacja, ładowanie pojazdów elektrycznych, energia słoneczna

Walidacja produktu
W pełni kwalifikowany zgodnie z JEDEC dla zastosowań przemysłowych

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast body diode 650V napięcie przebicia Zmniejszone straty przełączania

Maksymalne parametry 
przy Tj = 25°C, chyba że określono inaczej
IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast body diode 650V napięcie przebicia Zmniejszone straty przełączania

Charakterystyki termiczne
IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast body diode 650V napięcie przebicia Zmniejszone straty przełączania