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IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de corpo ultrarrápido Tensão de ruptura de 650V Perdas de comutação reduzidas

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IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de corpo ultrarrápido Tensão de ruptura de 650V Perdas de comutação reduzidas
  • Nome

IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de corpo ultrarrápido Tensão de ruptura de 650V Perdas de comutação reduzidas

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IPW65R041CFD
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Descrição do produto
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Documento:
Infineon_IPW65R041CFD7_Data...EN.pdf
modelo:
IPW65R041CFD
Nome do produto:
Chip Infineon
Temperatura operacional:
- 55 °C ~ + 150 °C
Dissipação de energia:
500W
Estilo de instalação:
Através do buraco
Corrente contínua do dreno:
68.5 A
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IPW65R041CFD Infineon Chip

,

MOSFET de 650V

,

MOSFET com Diodo de Corpo Ultrarrápido

Descrição do produto

Infineon Chip IPW65R041CFD Diodo de corpo ultra-rápido Tensão de ruptura de 650V Perdas de comutação reduzidas


Dispositivo de Potência SJ CoolMOS™ CFD7 de 650V

O mais recente CoolMOS™ CFD7 de 650 V estende a oferta de classe de tensão da família CFD7 e é um sucessor do CoolMOS™ CFD2 de 650 V. Resultante do desempenho de comutação aprimorado e excelente comportamento térmico, o CoolMOS™ CFD7 de 650 V oferece a mais alta eficiência em topologias de comutação ressonante, como LLC e full-bridge de deslocamento de fase (ZVS). Como parte do portfólio de diodos de corpo rápido da Infineon’s, esta nova série de produtos combina todas as vantagens de uma tecnologia de comutação rápida com robustez superior em comutação hard. A tecnologia CoolMOS™ CFD7 atende aos mais altos padrões de eficiência e confiabilidade e, além disso, suporta soluções de alta densidade de potência.


Características

Diodo de corpo ultra-rápido

Tensão de ruptura de 650V

RDS(on) de melhor desempenho

Perdas de comutação reduzidas

Baixa dependência de RDS(on) em relação à temperatura


Benefícios
Excelente robustez em comutação hard
Margem de segurança extra para projetos com tensão de barramento aumentada
Possibilitando soluções de maior densidade de potência
Eficiência excepcional em carga leve em aplicações SMPS industriais
Eficiência aprimorada em carga total em aplicações SMPS industriais
Competitividade de preço em relação às famílias CoolMOS™ anteriores

Aplicações potenciais
Adequado para topologias de comutação suave
Otimizado para aplicações Full-Bridge de Deslocamento de Fase (ZVS), LLC – Servidor, Telecomunicações, Carregamento de Veículos Elétricos, Solar

Validação do produto
Totalmente qualificado de acordo com JEDEC para Aplicações Industriais

IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de corpo ultrarrápido Tensão de ruptura de 650V Perdas de comutação reduzidas

Máximas classificações 
em Tj = 25°C, a menos que especificado de outra forma
IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de corpo ultrarrápido Tensão de ruptura de 650V Perdas de comutação reduzidas

Características térmicas
IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de corpo ultrarrápido Tensão de ruptura de 650V Perdas de comutação reduzidas
Etiquetas: 

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