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IPW65R041CFD 인피니언 칩 초고속 바디 다이오드 650V 항복 전압 스위칭 손실 감소

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IPW65R041CFD 인피니언 칩 초고속 바디 다이오드 650V 항복 전압 스위칭 손실 감소

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IPW65R041CFD
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

IPW65R041CFD

인피니언 칩

작동 온도:

- 55°C ~ + 150°C

전력 소비:

설치 스타일:

구멍을 통해

연속배수 경향:

68.5A

공급 능력:

100000

강조하다:

IPW65R041CFD 인피니언 칩

650V MOSFET

초고속 바디 다이오드 MOSFET

제품 설명

Infineon Chip IPW65R041CFD 초고속 바디 다이오드 650V 항복 전압 스위칭 손실 감소

650V CoolMOS™ CFD7 SJ 전력 소자

최신 650V CoolMOS™ CFD7는 CFD7 제품군의 전압 등급을 확장하며 650V CoolMOS™ CFD2의 후속 제품입니다. 향상된 스위칭 성능과 뛰어난 열 특성을 통해 650V CoolMOS™ CFD7은 LLC 및 위상 변이 풀 브리지(ZVS)와 같은 공진 스위칭 토폴로지에서 최고의 효율을 제공합니다. Infineon의 초고속 바디 다이오드 포트폴리오의 일부인 이 새로운 제품 시리즈는 초고속 스위칭 기술의 모든 장점과 뛰어난 하드 스위칭 견고성을 결합합니다. CoolMOS™ CFD7 기술은 최고의 효율 및 신뢰성 표준을 충족하며, 높은 전력 밀도 솔루션을 지원합니다.

특징

초고속 바디 다이오드

650V 항복 전압

동급 최강의 RDS(on)

스위칭 손실 감소

온도에 따른 낮은 RDS(on) 의존성

이점

뛰어난 하드 스위칭 견고성

증가된 버스 전압 설계에 대한 추가 안전 여유

높은 전력 밀도 솔루션 구현

산업용 SMPS 애플리케이션에서 뛰어난 경부하 효율

산업용 SMPS 애플리케이션에서 향상된 전부하 효율

이전 CoolMOS™ 제품군 대비 가격 경쟁력

잠재적 응용 분야

소프트 스위칭 토폴로지에 적합

위상 변이 풀 브리지(ZVS), LLC 애플리케이션 – 서버, 통신, EV 충전, 태양광에 최적화

제품 검증

산업용 애플리케이션에 대한 JEDEC 표준에 따라 완전 인증됨

최대 정격

에서 Tj = 25°C, 달리 명시되지 않는 한

열 특성

태그:

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