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Detalles de los productos

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Chip Infineon
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IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de cuerpo ultrarrápido Voltaje de ruptura de 650V Pérdidas de conmutación reducidas

IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de cuerpo ultrarrápido Voltaje de ruptura de 650V Pérdidas de conmutación reducidas

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: IPW65R041CFD
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
China
modelo:
IPW65R041CFD
Nombre del producto:
Chip Infineon
Temperatura de funcionamiento:
- 55 ºC ~ + 150 ºC
Disipación de energía:
500 vatios
Estilo de instalación:
A través del agujero
Corriente continua del dren:
68.5 A
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

IPW65R041CFD Infineon Chip

,

MOSFET de 650V

,

MOSFET de diodo de cuerpo ultrarrápido

Descripción del Producto

Diodo de cuerpo ultrarrápido Infineon Chip IPW65R041CFD, voltaje de ruptura de 650 V, pérdidas de conmutación reducidas


Dispositivo de potencia SJ CoolMOS™ CFD7 de 650 V

El último CoolMOS™ CFD7 de 650 V amplía la oferta de clase de voltaje de la familia CFD7 y es un sucesor del CoolMOS™ CFD2 de 650 V. Como resultado de un rendimiento de conmutación mejorado y un excelente comportamiento térmico, el CoolMOS™ CFD7 de 650 V ofrece la máxima eficiencia en topologías de conmutación resonante, como LLC y puente completo de cambio de fase (ZVS). Como parte de la cartera de diodos de cuerpo rápido de Infineon’s, esta nueva serie de productos combina todas las ventajas de una tecnología de conmutación rápida junto con una robustez superior en conmutación dura. La tecnología CoolMOS™ CFD7 cumple con los más altos estándares de eficiencia y confiabilidad y, además, admite soluciones de alta densidad de potencia.


Características

Diodo de cuerpo ultrarrápido

Voltaje de ruptura de 650 V

RDS(on) de mejor rendimiento

Pérdidas de conmutación reducidas

Baja dependencia de RDS(on) con la temperatura


Beneficios
Excelente robustez en conmutación dura
Margen de seguridad adicional para diseños con voltaje de bus aumentado
Permite soluciones de mayor densidad de potencia
Eficiencia sobresaliente a carga ligera en aplicaciones SMPS industriales
Eficiencia mejorada a carga completa en aplicaciones SMPS industriales
Competitividad de precios frente a familias CoolMOS™ anteriores

Aplicaciones potenciales
Adecuado para topologías de conmutación suave
Optimizado para aplicaciones de puente completo de cambio de fase (ZVS), LLC – Servidor, Telecomunicaciones, Carga de vehículos eléctricos, Solar

Validación del producto
Totalmente calificado según JEDEC para aplicaciones industriales

IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de cuerpo ultrarrápido Voltaje de ruptura de 650V Pérdidas de conmutación reducidas

Máximas clasificaciones 
a Tj = 25°C, a menos que se especifique lo contrario
IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de cuerpo ultrarrápido Voltaje de ruptura de 650V Pérdidas de conmutación reducidas

Características térmicas
IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo de cuerpo ultrarrápido Voltaje de ruptura de 650V Pérdidas de conmutación reducidas