logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast Diode cơ thể 650V phá vỡ điện áp Giảm tổn thất chuyển đổi

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast Diode cơ thể 650V phá vỡ điện áp Giảm tổn thất chuyển đổi

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IPW65R041CFD
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IPW65R041CFD
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ + 150°C
Tản điện:
500 W
Kiểu cài đặt:
Qua lỗ
Dòng xả liên tục:
68,5 A
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IPW65R041CFD Chip Infineon

,

MOSFET 650V

,

Ultra Fast Body Diode MOSFET

Mô tả sản phẩm

Infineon Chip IPW65R041CFD Đi-ốt thân siêu nhanh điện áp đánh thủng 650V Giảm tổn thất chuyển mạch


Thiết bị nguồn SJ CoolMOS™ CFD7 650V

CoolMOS™ CFD7 650 V mới nhất mở rộng dòng điện áp của gia đình CFD7 và là sản phẩm kế nhiệm của CoolMOS™ CFD2 650 V. Do hiệu suất chuyển mạch được cải thiện và hành vi nhiệt tuyệt vời, CoolMOS™ CFD7 650 V mang lại hiệu quả cao nhất trong các cấu trúc chuyển mạch cộng hưởng, như LLC và cầu đầy pha dịch pha (ZVS). Là một phần của danh mục đi-ốt thân nhanh của Infineon, dòng sản phẩm mới này kết hợp tất cả các ưu điểm của công nghệ chuyển mạch nhanh cùng với độ bền giao tiếp cứng vượt trội. Công nghệ CoolMOS™ CFD7 đáp ứng các tiêu chuẩn hiệu quả và độ tin cậy cao nhất và hơn nữa hỗ trợ các giải pháp mật độ công suất cao.


Đặc trưng

Đi-ốt thân siêu nhanh

Điện áp đánh thủng 650V

RDS(on) tốt nhất trong phân khúc

Giảm tổn thất chuyển mạch

Sự phụ thuộc RDS(on) thấp theo nhiệt độ


Lợi ích
Độ bền giao tiếp cứng tuyệt vời
Biên độ an toàn bổ sung cho các thiết kế có điện áp bus tăng
Cho phép các giải pháp mật độ công suất tăng
Hiệu quả tải nhẹ vượt trội trong các ứng dụng SMPS công nghiệp
Hiệu quả tải đầy đủ được cải thiện trong các ứng dụng SMPS công nghiệp
Tính cạnh tranh về giá so với các dòng CoolMOS™ trước đây

Ứng dụng tiềm năng
Thích hợp cho các cấu trúc chuyển mạch mềm
Tối ưu hóa cho các ứng dụng cầu đầy pha dịch pha (ZVS), LLC – Máy chủ, Viễn thông, Sạc EV, Năng lượng mặt trời

Xác nhận sản phẩm
Được chứng nhận đầy đủ theo JEDEC cho Ứng dụng Công nghiệp

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast Diode cơ thể 650V phá vỡ điện áp Giảm tổn thất chuyển đổi

Thông số định mức tối đa 
tại Tj = 25°C, trừ khi có quy định khác
IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast Diode cơ thể 650V phá vỡ điện áp Giảm tổn thất chuyển đổi

Đặc tính nhiệt
IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast Diode cơ thể 650V phá vỡ điện áp Giảm tổn thất chuyển đổi