รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

อินฟิเนียนชิป

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast โดดกระเป๋า 650V พังแรงดัน ลดการสูญเสียการเปลี่ยน

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast โดดกระเป๋า 650V พังแรงดัน ลดการสูญเสียการเปลี่ยน

ชื่อแบรนด์:	Infineon Chip
หมายเลขรุ่น:	IPW65R041CFD
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

IPW65R041CFD

ชื่อสินค้า:

อินฟิเนียนชิป

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 55 องศาเซลเซียส ~ + 150 องศาเซลเซียส

การกระจายพลังงาน:

500 วัตต์

รูปแบบการติดตั้ง:

ผ่านรู

กระแสเดรนต่อเนื่อง:

68.5 ก

สามารถในการผลิต:

100000

เน้น:

IPW65R041CFD ชิป Infineon

650V MOSFET

MOSFET ไดโอเดสร่างกายที่เร็วมาก

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IPW65R041CFD ไดโอดในตัวแบบ Ultra-fast แรงดันไฟสลายตัว 650V ลดการสูญเสียจากการสวิตช์

อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า SJ CoolMOS™ CFD7 650V

CoolMOS™ CFD7 650 V ล่าสุดนี้เป็นการขยายระดับแรงดันไฟฟ้าของตระกูล CFD7 และเป็นรุ่นต่อจาก CoolMOS™ CFD2 650 V ด้วยประสิทธิภาพการสวิตช์ที่ดีขึ้นและพฤติกรรมทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม CoolMOS™ CFD7 650 V จึงให้ประสิทธิภาพสูงสุดในโทโพโลยีการสวิตช์แบบเรโซแนนซ์ เช่น LLC และ phase-shift-full-bridge (ZVS) ในฐานะส่วนหนึ่งของกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอดในตัวแบบเร็วของ Infineon ซีรีส์ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ผสมผสานข้อดีทั้งหมดของเทคโนโลยีการสวิตช์แบบเร็วเข้ากับความทนทานต่อการสวิตช์แบบฮาร์ดที่เหนือกว่า เทคโนโลยี CoolMOS™ CFD7 เป็นไปตามมาตรฐานประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูงสุด และยังรองรับโซลูชันที่มีความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าสูง

คุณสมบัติ

ไดโอดในตัวแบบ Ultra-fast

แรงดันไฟสลายตัว 650V

RDS(on) ดีที่สุดในระดับเดียวกัน

ลดการสูญเสียจากการสวิตช์

การพึ่งพา RDS(on) ต่ำตามอุณหภูมิ

ประโยชน์

ความทนทานต่อการสวิตช์แบบฮาร์ดที่ยอดเยี่ยม

ขอบเขตความปลอดภัยเพิ่มเติมสำหรับการออกแบบที่มีแรงดันไฟฟ้าบัสเพิ่มขึ้น

เปิดใช้งานโซลูชันที่มีความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าเพิ่มขึ้น

ประสิทธิภาพการโหลดต่ำที่โดดเด่นในแอปพลิเคชัน SMPS อุตสาหกรรม

ประสิทธิภาพการโหลดเต็มที่ที่ปรับปรุงแล้วในแอปพลิเคชัน SMPS อุตสาหกรรม

ความสามารถในการแข่งขันด้านราคาเมื่อเทียบกับตระกูล CoolMOS™ ก่อนหน้า

แอปพลิเคชันที่เป็นไปได้

เหมาะสำหรับโทโพโลยี Soft Switching

ปรับให้เหมาะสมสำหรับแอปพลิเคชัน Phase-shift full-bridge (ZVS), LLC – เซิร์ฟเวอร์, โทรคมนาคม, การชาร์จ EV, พลังงานแสงอาทิตย์

การตรวจสอบผลิตภัณฑ์

ผ่านการรับรองตาม JEDEC สำหรับแอปพลิเคชันอุตสาหกรรม

การให้คะแนนสูงสุด

ที่ Tj = 25°C, เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น

ลักษณะทางความร้อน

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

IPW65R041CFD Infineon Chip Ultra Fast โดดกระเป๋า 650V พังแรงดัน ลดการสูญเสียการเปลี่ยน

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI