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Chip Infineon

IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo corpo ultraveloce Tensione di rottura 650V Perdite di commutazione ridotte

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IPW65R041CFD Infineon Chip Diodo corpo ultraveloce Tensione di rottura 650V Perdite di commutazione ridotte

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IPW65R041CFD
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IPW65R041CFD

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Temperatura operativa:

-55°C~+150°C

Dissipazione di potenza:

500 W

Stile di installazione:

Attraverso il buco

Corrente continua dello scolo:

68.5 A

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IPW65R041CFD Infineon Chip

MOSFET DA 650 V

MOSFET Diodo corpo ultraveloce

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IPW65R041CFD Diodo body ultraveloce Tensione di breakdown 650V Perdite di commutazione ridotte

Dispositivo di potenza SJ CoolMOS™ CFD7 da 650V

Il più recente CoolMOS™ CFD7 da 650 V estende l'offerta di classe di tensione della famiglia CFD7 ed è un successore del CoolMOS™ CFD2 da 650 V. Grazie alle prestazioni di commutazione migliorate e all'eccellente comportamento termico, il CoolMOS™ CFD7 da 650 V offre la massima efficienza nelle topologie di commutazione risonante, come LLC e full-bridge a spostamento di fase (ZVS). Come parte del portafoglio di diodi body veloci di Infineon, questa nuova serie di prodotti combina tutti i vantaggi di una tecnologia di commutazione veloce con una robustezza superiore alla commutazione dura. La tecnologia CoolMOS™ CFD7 soddisfa i più elevati standard di efficienza e affidabilità e supporta inoltre soluzioni ad alta densità di potenza.

Caratteristiche

Diodo body ultraveloce

Tensione di breakdown 650V

RDS(on) migliore della categoria

Perdite di commutazione ridotte

Bassa dipendenza RDS(on) dalla temperatura

Vantaggi

Eccellente robustezza alla commutazione dura

Margine di sicurezza extra per progetti con tensione di bus aumentata

Abilitazione di soluzioni ad alta densità di potenza

Eccezionale efficienza a basso carico nelle applicazioni SMPS industriali

Miglioramento dell'efficienza a pieno carico nelle applicazioni SMPS industriali

Competitività di prezzo rispetto alle precedenti famiglie CoolMOS™

Potenziali applicazioni

Adatto per topologie a commutazione morbida

Ottimizzato per applicazioni full-bridge a spostamento di fase (ZVS), LLC – Server, Telecomunicazioni, Ricarica EV, Solare

Validazione del prodotto

Completamente qualificato secondo JEDEC per applicazioni industriali

Valori massimi

a Tj = 25°C, se non diversamente specificato

Caratteristiche termiche

Tag:

CHIP LED OSRAM

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