logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IPW65R041CFD Infineon Чип Ультрабыстрый диод с корпусом, напряжение пробоя 650 В, сниженные потери при переключении

IPW65R041CFD Infineon Чип Ультрабыстрый диод с корпусом, напряжение пробоя 650 В, сниженные потери при переключении

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IPW65R041CFD
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
IPW65R041CFD
Название продукта:
Чип Инфинеон
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 150°С
Рассеяние мощности:
500 Вт
Стиль установки:
Через дыру
Непрерывное течение стока:
68.5 А
Поставка способности:
100000
Выделить:

IPW65R041CFD Infineon Чип

,

МОП-транзистор 650 В

,

Ультрабыстрый диод с корпусом MOSFET

Описание продукта

Сверхбыстрый диод в корпусе IPW65R041CFD от Infineon с напряжением пробоя 650 В и сниженными потерями при переключении


Силовой прибор CoolMOS™ CFD7 SJ на 650 В

Новейший CoolMOS™ CFD7 на 650 В расширяет предложение по классам напряжения семейства CFD7 и является преемником CoolMOS™ CFD2 на 650 В. Благодаря улучшенным характеристикам переключения и превосходному тепловому поведению, CoolMOS™ CFD7 на 650 В обеспечивает высочайшую эффективность в резонансных топологиях переключения, таких как LLC и фазово-сдвинутый полный мост (ZVS). Являясь частью портфеля диодов с быстрым восстановлением от Infineon, эта новая серия продуктов сочетает в себе все преимущества технологии быстрого переключения с превосходной устойчивостью к жесткой коммутации. Технология CoolMOS™ CFD7 соответствует высочайшим стандартам эффективности и надежности, а также поддерживает решения с высокой плотностью мощности.


Особенности

Сверхбыстрый диод в корпусе

Напряжение пробоя 650 В

Лучшее в своем классе RDS(on)

Сниженные потери при переключении

Низкая зависимость RDS(on) от температуры


Преимущества
Превосходная устойчивость к жесткой коммутации
Дополнительный запас по безопасности для конструкций с повышенным напряжением шины
Обеспечение повышенной плотности мощности
Выдающаяся эффективность при малой нагрузке в промышленных импульсных источниках питания
Улучшенная эффективность при полной нагрузке в промышленных импульсных источниках питания
Конкурентоспособная цена по сравнению с предыдущими семействами CoolMOS™

Потенциальные применения
Подходит для топологий с мягким переключением
Оптимизирован для применений с фазово-сдвинутым полным мостом (ZVS), LLC – Серверы, Телекоммуникации, Зарядка электромобилей, Солнечная энергетика

Валидация продукта
Полностью квалифицирован в соответствии со стандартом JEDEC для промышленных применений

IPW65R041CFD Infineon Чип Ультрабыстрый диод с корпусом, напряжение пробоя 650 В, сниженные потери при переключении

Максимальные характеристики 
при Tj = 25°C, если не указано иное
IPW65R041CFD Infineon Чип Ультрабыстрый диод с корпусом, напряжение пробоя 650 В, сниженные потери при переключении

Тепловые характеристики
IPW65R041CFD Infineon Чип Ультрабыстрый диод с корпусом, напряжение пробоя 650 В, сниженные потери при переключении