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商品の詳細

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インフィニオンチップ
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IPW65R041CFD インフィニオンチップ 超高速ボディダイオード 650V 断熱電圧 切り替え損失を減らす

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IPW65R041CFD インフィニオンチップ 超高速ボディダイオード 650V 断熱電圧 切り替え損失を減らす
  • 名前

IPW65R041CFD インフィニオンチップ 超高速ボディダイオード 650V 断熱電圧 切り替え損失を減らす

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IPW65R041CFD
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
書類:
Infineon_IPW65R041CFD7_Data...EN.pdf
モデル:
IPW65R041CFD
製品名:
インフィニオンチップ
動作温度:
-55℃～+150℃
消費電力:
500W
インストールスタイル:
穴を通して
連続的な下水管の流れ:
68.5A
供給の能力:
100000
ハイライト:

IPW65R041CFD インフィニオンチップ

,

650V MOSFET

,

超高速ボディダイオードMOSFET

製品説明

インフィニオンチップ IPW65R041CFD 超高速ボディダイオード 650V 断熱電圧 スイッチ損失を減らす


650V CoolMOSTM CFD7 SJ電源装置

最新の650VのCoolMOSTM CFD7は,CFD7ファミリーの電圧クラスの提供を拡張し,650VのCoolMOSTM CFD2の後継機である.改善された切り替え性能と優れた熱性能の結果, 650 V CoolMOSTM CFD7は,LCおよび相位シフトフルブリッジ (ZVS) などの共鳴スイッチトポロジーで最高効率を提供します.この新しい製品シリーズは,高速スイッチ技術のすべての利点と優れたハードコンミュテーションの強さを組み合わせていますクールモスTM CFD7技術は最高効率と信頼性の基準を満たし,さらに高電力密度のソリューションをサポートします.


特徴

超高速ボディダイオード

650Vの断熱電圧

クラス最高のRDS (オン)

切替損失を減らす

RDS (オン) の低温依存度


利益
優れた硬式換算耐久性
バス電圧が増加した設計では,追加の安全性範囲
電力密度の向上のためのソリューションを可能にする
産業用SMPSアプリケーションにおける優れた軽量負荷効率
産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上
以前の CoolMOSTM ファミリーと比較して価格競争力

可能性のある応用
ソフトスイッチングトポロジーに適している
フェーズシフトフルブリッジ (ZVS), LLC アプリケーションに最適化 サーバー,テレコム,EV充電,太陽光

製品検証
JEDEC for Industrial Applications に基づいて完全合格している

IPW65R041CFD インフィニオンチップ 超高速ボディダイオード 650V 断熱電圧 切り替え損失を減らす

最大評価
にTj= 25°C,別途指定がない限り
IPW65R041CFD インフィニオンチップ 超高速ボディダイオード 650V 断熱電圧 切り替え損失を減らす

熱特性
IPW65R041CFD インフィニオンチップ 超高速ボディダイオード 650V 断熱電圧 切り替え損失を減らす
タグ: 

インフィニオン パワーMOSFET  

チップ インフィニオン  

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