logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt IRFR5410

IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt IRFR5410

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IRFU5410PBF
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IRFU5410PBF
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Kiểu:
Qua lỗ
Dòng xả liên tục:
13 A
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ + 150°C
Tản điện:
66 W
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IRFU5410PBF

,

IRFU5410 Infineon Chip

,

IRFR5410 Gắn trên bề mặt HEXFET

Mô tả sản phẩm

MOSFET Công suất HEXFET® Chip IRFU5410PBF Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt (IRFR5410)


Điện trở cực thấp
Kênh P
Gắn trên bề mặt (IRFR5410)
Chân thẳng (IRFU5410)
Công nghệ xử lý tiên tiến
Chuyển mạch nhanh
Đánh giá Avalanche đầy đủ
Không chì


Mô tả
HEXFET Thế hệ thứ năm của International Rectifier sử dụng các kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được điện trở cực thấp trên mỗi diện tích silicon. Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh và thiết kế thiết bị được gia cố mà HEXFET Power MOSFET nổi tiếng, cung cấp cho nhà thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng.
D-Pak được thiết kế để gắn trên bề mặt bằng kỹ thuật hàn pha hơi, hồng ngoại hoặc hàn sóng. Phiên bản chân thẳng (dòng IRFU) dành cho các ứng dụng gắn lỗ xuyên. Mức tiêu tán công suất lên đến 1,5 watt có thể đạt được trong các ứng dụng gắn trên bề mặt điển hình.

Xếp hạng Tối đa Tuyệt đối
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt IRFR5410

Điện trở nhiệt
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt IRFR5410

Đặc tính điện @ Tj = 25°C (trừ khi có quy định khác)
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt IRFR5410

Xếp hạng và Đặc tính Nguồn-Cống
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt IRFR5410