logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
Infineon Çip
Created with Pixso.

IRFU5410PBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Ultra Düşük Açık Direnç Yüzeye Montaj IRFR5410

IRFU5410PBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Ultra Düşük Açık Direnç Yüzeye Montaj IRFR5410

Marka Adı: Infineon Chip
Model Numarası: IRFU5410PBF
Adedi: 2500
Paketleme Detayları: 2500 adet/makara
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
modeli:
IRFU5410PBF
Ürün adı:
Infineon Çip
Tip:
Delikten
Sürekli Tahliye Akımı:
13 bir
Çalışma Sıcaklığı:
- 55 °C ~ + 150 °C
Güç Dağılımı:
66W
Yetenek temini:
100000
Vurgulamak:

IRFU5410PBF

,

IRFU5410 Infineon Çip

,

IRFR5410 Yüzeye Montaj HEXFET

Ürün Açıklaması

Infineon Chip IRFU5410PBF HEXFET® Düşük On-Dirençli Yüzeye Montaj Güç MOSFET (IRFR5410)


Ultra Düşük On-Direnç
P-Kanal
Yüzeye Montaj (IRFR5410)
Düz Kurşun (IRFU5410)
Gelişmiş İşlem Teknolojisi
Hızlı Anahtarlama
Tamamen Çığ Dereceli
Kurşunsuz


Açıklama
International Rectifier'dan Beşinci Nesil HEXFET'ler, silikon başına son derece düşük on-direnç elde etmek için gelişmiş işlem tekniklerini kullanır. Bu fayda, HEXFET Güç MOSFET'lerinin iyi bilindiği hızlı anahtarlama hızı ve sağlamlaştırılmış cihaz tasarımı ile birleştiğinde, tasarımcıya çok çeşitli uygulamalarda kullanılmak üzere son derece verimli ve güvenilir bir cihaz sağlar.
D-Pak, buharlı faz, kızılötesi veya dalga lehimleme teknikleri kullanılarak yüzeye montaj için tasarlanmıştır. Düz kurşunlu versiyon (IRFU serisi) delikten montaj uygulamaları içindir. Tipik yüzeye montaj uygulamalarında 1,5 watt'a kadar güç dağılım seviyeleri mümkündür.

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler
IRFU5410PBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Ultra Düşük Açık Direnç Yüzeye Montaj IRFR5410

Termal Direnç
IRFU5410PBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Ultra Düşük Açık Direnç Yüzeye Montaj IRFR5410

Elektriksel Karakteristikler @ Tj = 25°C (aksi belirtilmedikçe)
IRFU5410PBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Ultra Düşük Açık Direnç Yüzeye Montaj IRFR5410

Kaynak-Drenaj Değerlendirmeleri ve Karakteristikleri
IRFU5410PBF Infineon Çip HEXFET Güç MOSFET Ultra Düşük Açık Direnç Yüzeye Montaj IRFR5410