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IRFU5410PBF Chip Infineon HEXFET Potencia MOSFET Ultra baja en la superficie de la resistencia del montaje IRFR5410

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IRFU5410PBF Chip Infineon HEXFET Potencia MOSFET Ultra baja en la superficie de la resistencia del montaje IRFR5410
  • Nombre

IRFU5410PBF Chip Infineon HEXFET Potencia MOSFET Ultra baja en la superficie de la resistencia del montaje IRFR5410

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: IRFU5410PBF
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Descripción del Producto
Información detallada
Lugar de origen:
China
Documento:
infineon_irfr5410_datasheet...en.pdf
modelo:
IRFU5410PBF
Nombre del producto:
Chip Infineon
Tipo:
A través del agujero
Corriente continua del dren:
13 A
Temperatura de funcionamiento:
- 55 ºC ~ + 150 ºC
Disipación de energía:
El valor de la carga
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

IRFU5410PBF

,

IRFU5410 Chip de Infineon

,

IRFR5410 HEXFET montado en la superficie

Descripción del Producto

Infineon Chip IRFU5410PBF HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount (IRFR5410)


Resistencia Ultra Baja Encendida
Canal P
Montaje en Superficie (IRFR5410)
Lead Recto (IRFU5410)
Tecnología de Procesamiento Avanzada
Conmutación Rápida
Totalmente Clasificado para Avalancha
Sin Plomo


Descripción
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja encendida por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El D-Pak está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarrojos u onda. La versión de lead recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Los niveles de disipación de potencia de hasta 1.5 vatios son posibles en aplicaciones típicas de montaje en superficie.

Calificaciones Máximas Absolutas
IRFU5410PBF Chip Infineon HEXFET Potencia MOSFET Ultra baja en la superficie de la resistencia del montaje IRFR5410

Resistencia Térmica
IRFU5410PBF Chip Infineon HEXFET Potencia MOSFET Ultra baja en la superficie de la resistencia del montaje IRFR5410

Características Eléctricas @ Tj = 25°C (a menos que se especifique lo contrario)
IRFU5410PBF Chip Infineon HEXFET Potencia MOSFET Ultra baja en la superficie de la resistencia del montaje IRFR5410

Calificaciones y Características de Fuente-Drenaje
IRFU5410PBF Chip Infineon HEXFET Potencia MOSFET Ultra baja en la superficie de la resistencia del montaje IRFR5410
Etiquetas: 

Infineon potencia mosfet  

el chip infineón  

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