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Infineon-Chip
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IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

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IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410
  • Name

IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Markenname: Infineon Chip
Modellnummer: IRFU5410PBF
Mindestbestellmenge: 2500
Verpackungsdetails: 2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Produktbeschreibung
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Dokumentieren:
infineon_irfr5410_datasheet...en.pdf
Modell:
IRFU5410PBF
Produktname:
Infineon-Chip
Typ:
Durch Loch
Ununterbrochener Abfluss-Strom:
13 A
Betriebstemperatur:
- 55 °C ~ + 150 °C
Verlustleistung:
66 W
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100000
Hervorheben:

IRFU5410PBF

,

IRFU5410 Infineon Chip

,

IRFR5410 Surface Mount HEXFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IRFU5410PBF HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount (IRFR5410)


Ultra Low On-Resistance
P-Kanal
Oberflächenmontage (IRFR5410)
Gerader Anschluss (IRFU5410)
Fortschrittliche Prozesstechnologie
Schnelles Schalten
Vollständig Lawinenbewertet
Bleifrei


Beschreibung
Die fünfte Generation von HEXFETs von International Rectifier nutzt fortschrittliche Prozesstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.
Das D-Pak ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt. Die Version mit geradem Anschluss (IRFU-Serie) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. In typischen Oberflächenmontageanwendungen sind Leistungsdissipationsniveaus von bis zu 1,5 Watt möglich.

Absolute Maximalwerte
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Thermischer Widerstand
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Elektrische Kennwerte @ Tj = 25°C (sofern nicht anders angegeben)
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Source-Drain-Bewertungen und Kennwerte
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410
Schlagworte: 

Infineon Power MOSFET  

Infineon Chip  

Infineon PFC Controller

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