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IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

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IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IRFU5410PBF
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IRFU5410PBF

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Tipo:

Attraverso il buco

Corrente continua dello scolo:

Temperatura operativa:

-55°C~+150°C

Dissipazione di potenza:

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IRFU5410PBF

IRFU5410 Infineon Chip

IRFR5410 Surface Mount HEXFET

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRFU5410PBF HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount (IRFR5410)

Resistenza On Ultra Bassa
Canale P
Surface Mount (IRFR5410)
Straight Lead (IRFU5410)
Tecnologia di Processo Avanzata
Commutazione Rapida
Completamente Valutato per Valanga
Senza Piombo

Descrizione

I HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza on estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il design robusto dei dispositivi per cui i Power MOSFET HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il D-Pak è progettato per il montaggio superficiale utilizzando tecniche di saldatura a fase vapore, infrarossi o a onda. La versione con piombo dritto (serie IRFU) è per applicazioni di montaggio through-hole. Livelli di dissipazione di potenza fino a 1,5 watt sono possibili nelle tipiche applicazioni di montaggio superficiale.

Valori Massimi Assoluti

Resistenza Termica

Caratteristiche Elettriche @ Tj = 25°C (se non diversamente specificato)

Valori nominali e caratteristiche Source-Drain

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