logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IRFU5410PBF
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
IRFU5410PBF
Название продукта:
Чип Инфинеон
Тип:
Через дыру
Непрерывное течение стока:
13 a
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 150°С
Рассеяние мощности:
66 Вт
Поставка способности:
100000
Выделить:

IRFU5410PBF

,

IRFU5410 Infineon Chip

,

IRFR5410 Surface Mount HEXFET

Описание продукта

IRFU5410PBF HEXFET® Power MOSFET Infineon с ультранизким сопротивлением во включенном состоянии для поверхностного монтажа (IRFR5410)


Ультранизкое сопротивление во включенном состоянии
P-канал
Поверхностный монтаж (IRFR5410)
Прямой вывод (IRFU5410)
Передовая технология обработки
Быстрое переключение
Полностью лавиностойкий
Без свинца


Описание
HEXFET® Power MOSFET пятого поколения от International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления во включенном состоянии на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны HEXFET Power MOSFET, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в широком спектре приложений.
D-Pak предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов пайки в паровой фазе, инфракрасной или волновой пайки. Версия с прямым выводом (серия IRFU) предназначена для приложений сквозного монтажа. Уровни рассеиваемой мощности до 1,5 Вт возможны в типичных приложениях поверхностного монтажа.

Предельные максимальные характеристики
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Тепловое сопротивление
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Электрические характеристики при Tj = 25°C (если не указано иное)
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Характеристики и параметры исток-сток
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410