logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Infineon Chip
Created with Pixso.

IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη IRFR5410

IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη IRFR5410

Επωνυμία: Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου: IRFU5410PBF
MOQ: 2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
μοντέλο:
IRFU5410PBF
Όνομα προϊόντος:
Infineon Chip
Τύπος:
Με τρύπα
Συνεχές ρεύμα αγωγών:
13 Α
Θερμοκρασία λειτουργίας:
- 55 °C ~ + 150 °C
Διαρροή Ισχύος:
66 W
Δυνατότητα προσφοράς:
100000
Επισημαίνω:

IRFU5410PBF

,

IRFU5410 Infineon Chip

,

IRFR5410 Επιφανειακή Στήριξη HEXFET

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IRFU5410PBF HEXFET® Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Βάση (IRFR5410)


Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On
Κανάλι P
Επιφανειακή Βάση (IRFR5410)
Ευθεία Καλωδίωση (IRFU5410)
Προηγμένη Τεχνολογία Επεξεργασίας
Γρήγορη Μεταγωγή
Πλήρως Αξιολογημένο για Χιονοστιβάδα
Χωρίς Μόλυβδο


Περιγραφή
Οι HEXFET Πέμπτης Γενιάς από την International Rectifier χρησιμοποιούν προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτύχουν εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση on ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το πλεονέκτημα, σε συνδυασμό με την ταχύτητα γρήγορης μεταγωγής και τον στιβαρό σχεδιασμό της συσκευής για τον οποίο είναι ευρέως γνωστοί οι HEXFET Power MOSFETs, παρέχει στον σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για χρήση σε μια ευρεία ποικιλία εφαρμογών.
Το D-Pak έχει σχεδιαστεί για επιφανειακή τοποθέτηση χρησιμοποιώντας τεχνικές συγκόλλησης με ατμούς, υπέρυθρες ή κυματοειδείς. Η έκδοση με ευθεία καλωδίωση (σειρά IRFU) είναι για εφαρμογές τοποθέτησης μέσω οπών. Επίπεδα διάχυσης ισχύος έως 1,5 watt είναι δυνατά σε τυπικές εφαρμογές επιφανειακής τοποθέτησης.

Απόλυτες Μέγιστες Βαθμολογίες
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη IRFR5410

Θερμική Αντίσταση
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη IRFR5410

Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά @ Tj = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη IRFR5410

Βαθμολογίες και Χαρακτηριστικά Πηγή-Αποχέτευση
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη IRFR5410