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インフィニオンチップ
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IRFU5410PBF インフィニオンチップ HEXFET パワー MOSFET 超低抵抗表面マウント IRFR5410

IRFU5410PBF インフィニオンチップ HEXFET パワー MOSFET 超低抵抗表面マウント IRFR5410

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IRFU5410PBF
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
中国
モデル:
IRFU5410PBF
製品名:
インフィニオンチップ
タイプ:
穴を通して
連続的な下水管の流れ:
13 A
動作温度:
-55℃~+150℃
消費電力:
66W
供給の能力:
100000
ハイライト:

IRFU5410PBF

,

IRFU5410 インフィニオンチップ

,

IRFR5410 表面マウント HEXFET

製品説明

インフィニオンチップ IRFU5410PBF HEXFET® パワー MOSFET 超低抵抗表面マウント (IRFR5410)


超低抵抗
Pチャンネル
表面マウント (IRFR5410)
ストレート・リード (IRFU5410)
先進的なプロセス技術
速やかに切り替える
完全に 雪崩 評価
鉛のない


記述
インターナショナル・リクティファイヤーの第5世代のヘックスフェットが 高度な加工技術を利用して シリコン面積あたりの電圧抵抗が非常に低いことを達成しますHEXFET パワー MOSFET がよく知られている高速スイッチング速度と頑丈なデバイスデザインと組み合わせた設計者は,非常に効率的で信頼性の高い装置を,様々な用途で使用できます.
D-Pakは,蒸気相,赤外線,波溶接技術を使用して表面をマウントするために設計されている.直線リードバージョン (IRFUシリーズ) は,穴を通ったマウントアプリケーション向けである.電力消耗レベル 1 まで.5ワットは,典型的な表面マウントアプリケーションでは可能である.

絶対最大格付け
IRFU5410PBF インフィニオンチップ HEXFET パワー MOSFET 超低抵抗表面マウント IRFR5410

熱耐性
IRFU5410PBF インフィニオンチップ HEXFET パワー MOSFET 超低抵抗表面マウント IRFR5410

電気特性 @ Tj = 25°C (別の規定がない限り)
IRFU5410PBF インフィニオンチップ HEXFET パワー MOSFET 超低抵抗表面マウント IRFR5410

ソース・ドランの評価と特徴
IRFU5410PBF インフィニオンチップ HEXFET パワー MOSFET 超低抵抗表面マウント IRFR5410