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IRFU5410PBF Infineon 칩 HEXFET 파워 MOSFET 초저온 온-저항 표면 실장 IRFR5410

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IRFU5410PBF Infineon 칩 HEXFET 파워 MOSFET 초저온 온-저항 표면 실장 IRFR5410

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IRFU5410PBF
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

IRFU5410PBF

인피니언 칩

구멍을 통해

연속배수 경향:

작동 온도:

- 55°C ~ + 150°C

전력 소비:

공급 능력:

100000

강조하다:

IRFU5410PBF

IRFU5410 Infineon 칩

IRFR5410 표면 실장 HEXFET

제품 설명

Infineon 칩 IRFU5410PBF HEXFET® 전력 MOSFET 초저 온 저항 표면 실장 (IRFR5410)

초저 온 저항
P채널
표면 실장 (IRFR5410)
직선 리드 (IRFU5410)
첨단 공정 기술
고속 스위칭
완전 애벌랜치 정격
무연

설명

International Rectifier의 5세대 HEXFET은 첨단 공정 기술을 활용하여 실리콘 면적당 극도로 낮은 온 저항을 달성합니다. 이 장점은 HEXFET 전력 MOSFET으로 잘 알려진 빠른 스위칭 속도와 견고한 장치 설계와 결합되어 디자이너에게 광범위한 애플리케이션에 사용할 수 있는 매우 효율적이고 안정적인 장치를 제공합니다.

D-Pak은 증기상, 적외선 또는 웨이브 솔더링 기술을 사용하여 표면 실장을 위해 설계되었습니다. 직선 리드 버전(IRFU 시리즈)은 스루홀 실장 애플리케이션용입니다. 일반적인 표면 실장 애플리케이션에서 최대 1.5와트의 전력 소산 레벨이 가능합니다.

절대 최대 정격

열 저항

전기적 특성 @ Tj = 25°C (별도 명시되지 않는 한)

소스-드레인 정격 및 특성

태그:

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