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Détails des produits

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Puce Infineon
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IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IRFU5410PBF
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
modèle:
IRFU5410PBF
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
Par le trou
Courant continu de drain:
13 A
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 150 °C
Dissipation de puissance:
66 W
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IRFU5410PBF

,

IRFU5410 Infineon Chip

,

IRFR5410 Surface Mount HEXFET

Description du produit

La résistance à l'usure de l'air est supérieure ou égale à la résistance à l'usure de l'air


Résistance ultra-faible
P-canal
Montage à la surface (IRFR5410)
Le plomb droit (IRFU5410)
Technologie de procédé avancée
Un changement rapide
Completement classé comme avalanche
Ne contenant pas de plomb


Définition
Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'allumage extrêmement faible par surface de silicium.combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste du dispositif pour laquelle les MOSFET HEXFET Power sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une grande variété d'applications.
Le D-Pak est conçu pour le montage de surface en utilisant des techniques de soudage par vapeur, infrarouge ou ondulatoire.Niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1.5 watts sont possibles dans les applications de montage de surface typiques.

Notes de crédit maximales absolues
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Résistance thermique
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Caractéristiques électriques @ Tj = 25°C (sauf indication contraire)
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410

Rating et caractéristiques de l'écoulement de la source
IRFU5410PBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5410