chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

CHIP LED OSRAM

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Chip LED công suất cao 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Chip LED công suất cao 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

Tên thương hiệu:	AMS-OSRAM
Số mô hình:	GH CSSPM1.24
MOQ:	3000 CÁI
Chi tiết đóng gói:	3000 chiếc/cuộn
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

MY/CN/TW

Nhiệt độ màu (CCT):

635-666nm

Hiệu suất phát sáng (lm/w):

Nhiệt độ màu:

660nm

phát ra màu sắc:

Màu đỏ

Điện áp đầu vào (V):

Quang thông(lm):

475 mW

Cường độ sáng:

178-256

Quyền lực:

Ứng dụng:

Nông nghiệp & Làm vườn-- Chiếu sáng trong nhà- Giải trí

Chuyển tiếp hiện tại:

1000mA

Kích cỡ:

Khả năng cung cấp:

100000

Làm nổi bật:

CSSPM1.24 OSRAM Hyper Red LED

3030 3W OSRAM Hyper Red LED

666nm 3030 OSRAM Hyper Red LED

Mô tả sản phẩm

Tên sản phẩm	GH CSSPM1.24
Thương hiệu	CREE
Ứng dụng	- Nông nghiệp & Làm vườn- Giải trí-- Chiếu sáng trong nhà- Chiếu sáng ngoài trời & công nghiệp
Đóng gói	Gói gốm SMT với ống kính silicone
Dòng điện thuận	1000mA
Bước sóng tâm	646nm--666nm
Điện áp thuận	2.6V
Công suất:	1-3W

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Chip LED SMD Công suất cao 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

GH CSSPM1.24

OSLON®SSL 120

Dòng LED OSLON SSL mới, hiệu suất cao hơn với

độ bền vượt trội đã được biết đến, độ tin cậy cao, tuổi thọ dài

tuổi thọ, điện trở nhiệt thấp. Đáp ứng hoàn hảo

các ứng dụng đòi hỏi hiệu quả cao và

yêu cầu tuổi thọ dài.

Ứng dụng

Kiến trúc

Chiếu sáng Nông nghiệp

Đặc trưng

Đóng gói: Gói gốm SMT với ống kính silicone

Bức xạ điển hình: Bộ phát Lambertian 120°

ESD: 8 kV theo ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Lớp 3B)

Thông lượng bức xạ: điển hình 475 mW

Hiệu suất bức xạ: điển hình 65 %

Thông lượng Photon Quang hợp: điển hình 2,58 μmol/s

1.Phần này trình bàyThông số hoạt động tối đacho thiết bị OSRAM GH CSSPM1.24, xác định giới hạn hoạt động an toàn của nó. Phạm vi nhiệt độ hoạt động () trải dài từ tối thiểu125T40∘j∘FmAmAFSmA≤=JRmAESkVĐặc tính

của thiết bị OSRAM GH CSSPM1.24, được đo trong điều kiệnIF=350mA. Bốn nhóm điện áp riêng biệt được chỉ định để phân loại thiết bị dựa trên hiệu suất điện của chúng: Nhóm F bao gồm phạm vi điện áp thuận từ 1,80 V đến 2,00 V, Nhóm G trải dài từ 2,00 V đến 2,20 V, Nhóm H dao động từ 2,20 V đến 2,40 V và Nhóm J kéo dài từ 2,40 V đến 2,60 V. Các nhóm này cho phép phân loại chính xác các thiết bị, đảm bảo đặc tính điện áp thuận nhất quán trong mỗi đơn vị đóng gói, phù hợp với giới hạn điện áp thuận tổng thể (tối thiểu 1,80 V, tối đa 2,60 V) được nêu trong các đặc tính cốt lõi của thiết bị và hỗ trợ tích hợp đáng tin cậy vào các ứng dụng mục tiêu bằng cách cung cấp các mốc hiệu suất điện được phân đoạn rõ ràng. Jpeakcentroid). Nhóm thống nhất này đảm bảo rằng tất cả các thiết bị trong danh mục này duy trì hiệu suất tâm phổ nhất quán, phù hợp với giá trị bước sóng tâm điển hình là 657 nm được nêu trong các đặc tính cốt lõi của thiết bị và cung cấp một tham chiếu rõ ràng cho hành vi phổ quang học của thiết bị trong điều kiện hoạt động được xác định.350F=350mA. Bốn nhóm điện áp riêng biệt được chỉ định để phân loại thiết bị dựa trên hiệu suất điện của chúng: Nhóm F bao gồm phạm vi điện áp thuận từ 1,80 V đến 2,00 V, Nhóm G trải dài từ 2,00 V đến 2,20 V, Nhóm H dao động từ 2,20 V đến 2,40 V và Nhóm J kéo dài từ 2,40 V đến 2,60 V. Các nhóm này cho phép phân loại chính xác các thiết bị, đảm bảo đặc tính điện áp thuận nhất quán trong mỗi đơn vị đóng gói, phù hợp với giới hạn điện áp thuận tổng thể (tối thiểu 1,80 V, tối đa 2,60 V) được nêu trong các đặc tính cốt lõi của thiết bị và hỗ trợ tích hợp đáng tin cậy vào các ứng dụng mục tiêu bằng cách cung cấp các mốc hiệu suất điện được phân đoạn rõ ràng. domλφFR=350mA. Bốn nhóm điện áp riêng biệt được chỉ định để phân loại thiết bị dựa trên hiệu suất điện của chúng: Nhóm F bao gồm phạm vi điện áp thuận từ 1,80 V đến 2,00 V, Nhóm G trải dài từ 2,00 V đến 2,20 V, Nhóm H dao động từ 2,20 V đến 2,40 V và Nhóm J kéo dài từ 2,40 V đến 2,60 V. Các nhóm này cho phép phân loại chính xác các thiết bị, đảm bảo đặc tính điện áp thuận nhất quán trong mỗi đơn vị đóng gói, phù hợp với giới hạn điện áp thuận tổng thể (tối thiểu 1,80 V, tối đa 2,60 V) được nêu trong các đặc tính cốt lõi của thiết bị và hỗ trợ tích hợp đáng tin cậy vào các ứng dụng mục tiêu bằng cách cung cấp các mốc hiệu suất điện được phân đoạn rõ ràng. RRthJS elec.eNhóm Độ sáng

, được xác định bằng các chỉ số quang học và hiệu suất chính được đo ởIF=350mA. Bốn nhóm điện áp riêng biệt được chỉ định để phân loại thiết bị dựa trên hiệu suất điện của chúng: Nhóm F bao gồm phạm vi điện áp thuận từ 1,80 V đến 2,00 V, Nhóm G trải dài từ 2,00 V đến 2,20 V, Nhóm H dao động từ 2,20 V đến 2,40 V và Nhóm J kéo dài từ 2,40 V đến 2,60 V. Các nhóm này cho phép phân loại chính xác các thiết bị, đảm bảo đặc tính điện áp thuận nhất quán trong mỗi đơn vị đóng gói, phù hợp với giới hạn điện áp thuận tổng thể (tối thiểu 1,80 V, tối đa 2,60 V) được nêu trong các đặc tính cốt lõi của thiết bị và hỗ trợ tích hợp đáng tin cậy vào các ứng dụng mục tiêu bằng cách cung cấp các mốc hiệu suất điện được phân đoạn rõ ràng. Epp,b). Nhóm 4T có phạm vi thông lượng bức xạ tổng từ 400–450 mW, với PPF trải dài 2,17–2,44 μmol/s (PPF/W điển hình là 3,14 μmol/J) và PF trải dài 2,18–2,45 μmol/s (PF/W điển hình là 3,14 μmol/J). Nhóm 1U bao gồm thông lượng bức xạ tổng 450–500 mW, với PPF là 2,44–2,71 μmol/s (PPF/W điển hình là 3,50 μmol/J) và PF là 2,45–2,72 μmol/s (PF/W điển hình là 3,51 μmol/J). Nhóm hiệu suất cao nhất, 2U, cung cấp thông lượng bức xạ tổng 500–560 mW, PPF là 2,71–3,04 μmol/s (PPF/W điển hình là 3,91 μmol/J) và PF là 2,72–3,05 μmol/s (PF/W điển hình là 3,92 μmol/J). Các ghi chú đi kèm làm rõ rằng PPF ([*]) tính toán các bước sóng từ 400 đến 700 nm, trong khi PF ([**]) bao gồm các bước sóng từ 280 đến 800 nm, và cả giá trị PPF và PF chỉ được cung cấp để tham khảo, đảm bảo ngữ cảnh rõ ràng cho các phép đo thông lượng photon.350Nhóm Bước sóng tâm

cho thiết bị OSRAM GH CSSPM1.24, được đo ở dòng điện thuậnIF=350mA. Bốn nhóm điện áp riêng biệt được chỉ định để phân loại thiết bị dựa trên hiệu suất điện của chúng: Nhóm F bao gồm phạm vi điện áp thuận từ 1,80 V đến 2,00 V, Nhóm G trải dài từ 2,00 V đến 2,20 V, Nhóm H dao động từ 2,20 V đến 2,40 V và Nhóm J kéo dài từ 2,40 V đến 2,60 V. Các nhóm này cho phép phân loại chính xác các thiết bị, đảm bảo đặc tính điện áp thuận nhất quán trong mỗi đơn vị đóng gói, phù hợp với giới hạn điện áp thuận tổng thể (tối thiểu 1,80 V, tối đa 2,60 V) được nêu trong các đặc tính cốt lõi của thiết bị và hỗ trợ tích hợp đáng tin cậy vào các ứng dụng mục tiêu bằng cách cung cấp các mốc hiệu suất điện được phân đoạn rõ ràng. centroid). Nhóm thống nhất này đảm bảo rằng tất cả các thiết bị trong danh mục này duy trì hiệu suất tâm phổ nhất quán, phù hợp với giá trị bước sóng tâm điển hình là 657 nm được nêu trong các đặc tính cốt lõi của thiết bị và cung cấp một tham chiếu rõ ràng cho hành vi phổ quang học của thiết bị trong điều kiện hoạt động được xác định.350Nhóm Điện áp thuận

cho thiết bị OSRAM GH CSSPM1.24, được xác định bởi các phạm vi điện áp thuận (VFF=350mA. Bốn nhóm điện áp riêng biệt được chỉ định để phân loại thiết bị dựa trên hiệu suất điện của chúng: Nhóm F bao gồm phạm vi điện áp thuận từ 1,80 V đến 2,00 V, Nhóm G trải dài từ 2,00 V đến 2,20 V, Nhóm H dao động từ 2,20 V đến 2,40 V và Nhóm J kéo dài từ 2,40 V đến 2,60 V. Các nhóm này cho phép phân loại chính xác các thiết bị, đảm bảo đặc tính điện áp thuận nhất quán trong mỗi đơn vị đóng gói, phù hợp với giới hạn điện áp thuận tổng thể (tối thiểu 1,80 V, tối đa 2,60 V) được nêu trong các đặc tính cốt lõi của thiết bị và hỗ trợ tích hợp đáng tin cậy vào các ứng dụng mục tiêu bằng cách cung cấp các mốc hiệu suất điện được phân đoạn rõ ràng.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Chip LED công suất cao 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI