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Detalles de los productos

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CHIP LED OSRAM
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AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Diodo LED Smd de alta potencia 3W OSLON 3030 SSL Rojo Hiper 635-666 nm

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Diodo LED Smd de alta potencia 3W OSLON 3030 SSL Rojo Hiper 635-666 nm

Nombre De La Marca: AMS-OSRAM
Número De Modelo: GH CSSPM1.24
Cantidad Mínima De Pedido: 3000 piezas
Detalles De Embalaje: 3000 piezas/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
MI/CN/TW
Temperatura de color (CCT):
635-666 nm
Eficacia luminosa (lm/w):
115
Temperatura de color:
660nm
Color emisor:
Rojo
Voltaje de entrada(v):
2,6 V
Flujo luminoso (lm):
475 mW
Intensidad luminosa:
178-256
Fuerza:
1-3W
Solicitud:
Agricultura y horticultura-- Iluminación interior- Entretenimiento
Corriente directa:
1000mA
Tamaño:
3030
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

CSSPM1.24 OSRAM LED Rojo Hiper

,

3030 3W OSRAM LED Rojo Hiper

,

666nm 3030 OSRAM LED Rojo Hiper

Descripción del Producto

 

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Diodo LED Smd de alta potencia 3W OSLON 3030 SSL Rojo Hiper 635-666 nm
AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Diodo LED Smd de alta potencia 3W OSLON 3030 SSL Rojo Hiper 635-666 nm
Nombre del producto
GH CSSPM1. ¿Qué quieres decir?24
Marca del producto
Cree
Aplicaciones
- Agricultura y horticultura - Entretenimiento - Iluminación interior - Iluminación exterior e industrial
Paquete
Envase cerámico SMT con lente de silicona
Corriente hacia adelante
Las demás:
Velocidad de onda centróide
646 nm - 666 nm
Voltagem hacia adelante
2.6V
La potencia:
1 a 3 W

 

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 SMD Diodo de chip Led de alta potencia 3W OSLON 3030 SSL Hiper Rojo 635-666 nm

 

GH CSSPM1. ¿Qué quieres decir?24
OSLON®SSL 120
Nuevo LED de la familia OSLON SSL de mayor rendimiento con
robustez superior conocida, alta fiabilidad, larga duración
vida útil, baja resistencia térmica.
aplicaciones que exigen una alta eficiencia y
requerimiento de toda la vida.

 

Aplicaciones
Arquitectura
Iluminación para la horticultura
 
Características
Embalaje: embalaje cerámico SMT con lente de silicona
Tipo de radiación: 120° (emitente lambertiano)
ESD: 8 kV de acuerdo con ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B)
Flujo radiante: típicamente 475 mW
Eficiencia radiante: típicamente 65 %
Flujo fotónico fotosintético: típicamente 2,58 μmol/s
 
1En esta sección se presentan losCalificaciones máximaspara el dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, definiendo sus límites de funcionamiento seguros.) abarca desde un mínimo dehasta un máximo de, correspondiente al rango de temperatura de almacenamiento () que también se extiende desdeEn elLa temperatura máxima de unión permitida () se especifica comoPara las corrientes nominales, la corriente de avance () tiene un valor mínimo dey un máximo de, mientras que la corriente de crecimiento () tiene una calificación máxima de, medido con una duración de pulso, ciclo de trabajo, y temperatura de unión. La corriente inversa máxima () se limita a las, y el dispositivo proporciona una tensión de resistencia ESD () de, conforme con la norma ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B), que ofrece una protección robusta contra descargas electrostáticas para un rendimiento fiable en entornos exigentes.
 
2En esta sección se presentan losCaracterísticasdel dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, medido en las condiciones deyEn términos de rendimiento óptico, el dispositivo tiene una longitud de onda de pico típica (En el caso de las señales de radio, la longitud de onda es de 660 nm, mientras que la longitud) se extiende desde un mínimo de 646 nm hasta un máximo de 666 nm, con un valor típico de 657 nm en. La longitud de onda dominante () es de 640 nm (típico) bajo la misma corriente de avance, y el ancho de banda espectral (La intensidad máxima relativa es de 25 nm (típica) con un ángulo de visión amplio (Para las características eléctricas, el voltaje de dirección () en elLa tensión máxima inversa () en elAdemás, la resistencia térmica eléctrica desde la unión hasta el punto de soldadura (La eficiencia de la energía de la red eléctrica es de 2,4 K/W (típico), obtenida con una eficiencia () del 55%, lo que facilita una gestión térmica eficaz durante el funcionamiento
 
3En esta sección de la ficha de datos OSRAM GH CSSPM1.24 se describen lasGrupos de brillo, definidas por métricas ópticas y de eficiencia clave, medidas enSe especifican tres grupos de brillo: 4T, 1U y 2U, cada uno con rangos distintos para el flujo radiante total (), Flujo fotónico fotosintético (PPF,), y el Flujo de Fotones (PF,El grupo 4T tiene un rango total de flujo radiante de 400 ∼ 450 mW, con PPF que abarca 2,17 ∼ 2,44 μmol/s (PPF/W típico de 3,14 μmol/J) y PF que abarca 2,18 ∼ 2,45 μmol/s (PF/W típico de 3,14 μmol/J).El grupo 1U cubre un flujo radiante total de 450 – 500 mW., con un FPP de 2,44 ∼2,71 μmol/s (FPP/W típico de 3,50 μmol/J) y un FPP de 2,45 ∼2,72 μmol/s (FPF/W típico de 3,51 μmol/J).PPF de 2.71·3,04 μmol/s (PPF/W típico de 3,91 μmol/J) y PF de 2,72·3,05 μmol/s (PF/W típico de 3,92 μmol/J).mientras que PF ([**]) incluye longitudes de onda de 280 a 800 nm, y tanto los valores PPF como PF se proporcionan únicamente a título de referencia, garantizando un contexto claro para las mediciones del flujo de fotones.
 
4En esta sección se detallan loslongitud de onda del centroideagrupación para el dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, medida a una corriente de avanceSe especifica un único grupo de longitudes de onda centrífugas, denominado Grupo 1, que abarca un rango de un mínimo de 646 nm a un máximo de 666 nm para la longitud de onda centrífugas () Esta agrupación unificada garantiza que todos los dispositivos de esta categoría mantengan un rendimiento de centroide espectral constante,alinearse con el valor típico de longitud de onda del centroide de 657 nm descrito en las características básicas del dispositivo, y proporciona una referencia clara para el comportamiento espectral óptico del dispositivo en las condiciones de funcionamiento definidas.

 

 

5En esta sección se describen lasGrupos de tensión de direcciónpara el dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, definido por voltaje hacia adelante () los intervalos medidos a una corriente de avanceSe especifican cuatro grupos de voltaje distintos para clasificar los dispositivos en función de su rendimiento eléctrico: el grupo F abarca un rango de voltaje de 1,80 V a 2,00 V, el grupo G abarca 2,00 V a 2,20 V,El grupo H oscila entre 2.20 V a 2.40 V, y el grupo J se extiende de 2.40 V a 2.60 V. Estas agrupaciones permiten un envase preciso de los dispositivos, asegurando características de voltaje de avance consistentes dentro de cada unidad de embalaje,alineación con los límites generales de voltaje hacia adelante (mínimo 1.80 V, máximo 2,60 V) descritos en las características básicas del dispositivo, y apoyar la integración fiable en las aplicaciones objetivo proporcionando puntos de referencia claros y segmentados de rendimiento eléctrico.