szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

CHIP LED OSRAM

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode High Power 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode High Power 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

Nazwa marki:	AMS-OSRAM
Numer modelu:	GH CSSPM1.24
MOQ:	3000szt
Szczegóły opakowania:	3000 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

MY/CN/TW

Temperatura barwowa (CCT):

635-666 nm

Skuteczność świetlna (lm / w):

Temperatura barwowa:

660nm

Emitujący kolor:

Czerwony

Napięcie wejściowe (V):

2,6 V

Strumień świetlny (lm):

475 mW

Natężenie światła:

178-256

Aplikacja:

Rolnictwo i ogrodnictwo--oświetlenie wewnętrzne-rozrywka

Prąd do przodu:

1000mA

Rozmiar:

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

CSSPM1.24 OSRAM Hyper Red LED

3030 3W OSRAM Hyper Red LED

666nm 3030 OSRAM Hyper Red LED

Opis produktu

Nazwa produktu	GH CSSPM1.24
Marka	CREE
Zastosowania	- Rolnictwo i Ogrodnictwo- Rozrywka-- Oświetlenie wewnętrzne- Oświetlenie zewnętrzne i przemysłowe
Opakowanie	SMT ceramiczne opakowanie z soczewką silikonową
Prąd przewodzenia	1000mA
Długość fali środkowej	646nm--666nm
Napięcie przewodzenia	2.6V
Moc:	1-3W

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip dioda dużej mocy 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

GH CSSPM1.24

OSLON®SSL 120

Nowa, wyższa wydajność rodziny OSLON SSL LED z

dobrze znaną, doskonałą wytrzymałością, wysoką niezawodnością, długą

żywotnością, niską rezystancją termiczną. Doskonale adresuje

aplikacje wymagające wysokiej wydajności i długiej

wymaganej żywotności.

Zastosowania

Architektura

Oświetlenie Ogrodnicze

Cechy

Opakowanie: SMT ceramiczne opakowanie z soczewką silikonową

Typ. Promieniowanie: 120° (emiter Lambertowski)

ESD: 8 kV wg ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasa 3B)

Strumień promieniowania: typ. 475 mW

Sprawność promieniowania: typ. 65 %

Strumień fotonów fotosyntetycznych: typ. 2,58 μmol/s

1. Niniejsza sekcja przedstawiaMaksymalne parametry dla urządzenia OSRAM GH CSSPM1.24, określające jego bezpieczne granice pracy. Zakres temperatury pracy () rozciąga się od minimum125T40∘j∘FmAmAFSmA≤=JRmAESkVCharakterystyki

urządzenia OSRAM GH CSSPM1.24, mierzone w warunkachIF=350mA. Określono cztery odrębne grupy napięcia, aby kategoryzować urządzenia na podstawie ich wydajności elektrycznej: Grupa F obejmuje zakres napięcia przewodzenia od 1,80 V do 2,00 V, Grupa G obejmuje 2,00 V do 2,20 V, Grupa H waha się od 2,20 V do 2,40 V, a Grupa J rozciąga się od 2,40 V do 2,60 V. Te grupowania umożliwiają precyzyjne sortowanie urządzeń, zapewniając spójne charakterystyki napięcia przewodzenia w każdej jednostce pakowania, zgodnie z ogólnymi limitami napięcia przewodzenia (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) określonymi w podstawowych charakterystykach urządzenia, i wspierają niezawodną integrację w docelowych zastosowaniach, zapewniając jasne, segmentowane punkty odniesienia wydajności elektrycznej. JpeakcentroidF=350mA. Określono cztery odrębne grupy napięcia, aby kategoryzować urządzenia na podstawie ich wydajności elektrycznej: Grupa F obejmuje zakres napięcia przewodzenia od 1,80 V do 2,00 V, Grupa G obejmuje 2,00 V do 2,20 V, Grupa H waha się od 2,20 V do 2,40 V, a Grupa J rozciąga się od 2,40 V do 2,60 V. Te grupowania umożliwiają precyzyjne sortowanie urządzeń, zapewniając spójne charakterystyki napięcia przewodzenia w każdej jednostce pakowania, zgodnie z ogólnymi limitami napięcia przewodzenia (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) określonymi w podstawowych charakterystykach urządzenia, i wspierają niezawodną integrację w docelowych zastosowaniach, zapewniając jasne, segmentowane punkty odniesienia wydajności elektrycznej. domλφFR=350mA. Określono cztery odrębne grupy napięcia, aby kategoryzować urządzenia na podstawie ich wydajności elektrycznej: Grupa F obejmuje zakres napięcia przewodzenia od 1,80 V do 2,00 V, Grupa G obejmuje 2,00 V do 2,20 V, Grupa H waha się od 2,20 V do 2,40 V, a Grupa J rozciąga się od 2,40 V do 2,60 V. Te grupowania umożliwiają precyzyjne sortowanie urządzeń, zapewniając spójne charakterystyki napięcia przewodzenia w każdej jednostce pakowania, zgodnie z ogólnymi limitami napięcia przewodzenia (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) określonymi w podstawowych charakterystykach urządzenia, i wspierają niezawodną integrację w docelowych zastosowaniach, zapewniając jasne, segmentowane punkty odniesienia wydajności elektrycznej. RRthJS elec.eGrupy Jasności

, zdefiniowane przez kluczowe wskaźniki optyczne i wydajnościowe mierzone przyIF=350mA. Określono cztery odrębne grupy napięcia, aby kategoryzować urządzenia na podstawie ich wydajności elektrycznej: Grupa F obejmuje zakres napięcia przewodzenia od 1,80 V do 2,00 V, Grupa G obejmuje 2,00 V do 2,20 V, Grupa H waha się od 2,20 V do 2,40 V, a Grupa J rozciąga się od 2,40 V do 2,60 V. Te grupowania umożliwiają precyzyjne sortowanie urządzeń, zapewniając spójne charakterystyki napięcia przewodzenia w każdej jednostce pakowania, zgodnie z ogólnymi limitami napięcia przewodzenia (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) określonymi w podstawowych charakterystykach urządzenia, i wspierają niezawodną integrację w docelowych zastosowaniach, zapewniając jasne, segmentowane punkty odniesienia wydajności elektrycznej. Epp,b). Grupa 4T ma zakres całkowitego strumienia promieniowania 400–450 mW, z PPF w zakresie 2,17–2,44 μmol/s (typowe PPF/W 3,14 μmol/J) i PF w zakresie 2,18–2,45 μmol/s (typowe PF/W 3,14 μmol/J). Grupa 1U obejmuje całkowity strumień promieniowania 450–500 mW, z PPF 2,44–2,71 μmol/s (typowe PPF/W 3,50 μmol/J) i PF 2,45–2,72 μmol/s (typowe PF/W 3,51 μmol/J). Najwyższa grupa wydajnościowa, 2U, oferuje całkowity strumień promieniowania 500–560 mW, PPF 2,71–3,04 μmol/s (typowe PPF/W 3,91 μmol/J) i PF 2,72–3,05 μmol/s (typowe PF/W 3,92 μmol/J). Towarzyszące uwagi wyjaśniają, że PPF ([*]) obejmuje długości fal między 400 a 700 nm, podczas gdy PF ([**]) obejmuje długości fal od 280 do 800 nm, a wartości PPF i PF są podane wyłącznie w celach informacyjnych, zapewniając jasny kontekst dla pomiarów strumienia fotonów.350Grupowanie Długości Fali Środkowej

dla urządzenia OSRAM GH CSSPM1.24, mierzone przy prądzie przewodzeniaIF=350mA. Określono cztery odrębne grupy napięcia, aby kategoryzować urządzenia na podstawie ich wydajności elektrycznej: Grupa F obejmuje zakres napięcia przewodzenia od 1,80 V do 2,00 V, Grupa G obejmuje 2,00 V do 2,20 V, Grupa H waha się od 2,20 V do 2,40 V, a Grupa J rozciąga się od 2,40 V do 2,60 V. Te grupowania umożliwiają precyzyjne sortowanie urządzeń, zapewniając spójne charakterystyki napięcia przewodzenia w każdej jednostce pakowania, zgodnie z ogólnymi limitami napięcia przewodzenia (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) określonymi w podstawowych charakterystykach urządzenia, i wspierają niezawodną integrację w docelowych zastosowaniach, zapewniając jasne, segmentowane punkty odniesienia wydajności elektrycznej. centroidGrupy Napięcia Przewodzenia

dla urządzenia OSRAM GH CSSPM1.24, zdefiniowane przez zakresy napięcia przewodzenia (VFF=350mA. Określono cztery odrębne grupy napięcia, aby kategoryzować urządzenia na podstawie ich wydajności elektrycznej: Grupa F obejmuje zakres napięcia przewodzenia od 1,80 V do 2,00 V, Grupa G obejmuje 2,00 V do 2,20 V, Grupa H waha się od 2,20 V do 2,40 V, a Grupa J rozciąga się od 2,40 V do 2,60 V. Te grupowania umożliwiają precyzyjne sortowanie urządzeń, zapewniając spójne charakterystyki napięcia przewodzenia w każdej jednostce pakowania, zgodnie z ogólnymi limitami napięcia przewodzenia (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) określonymi w podstawowych charakterystykach urządzenia, i wspierają niezawodną integrację w docelowych zastosowaniach, zapewniając jasne, segmentowane punkty odniesienia wydajności elektrycznej.

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode High Power 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI