Name: AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode Alta Potência 3W OSLON 3030 SSL Vermelho Intenso 635-666 nm
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: GH CSSPM1.24
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	AMS-OSRAM
Número do modelo:	GH CSSPM1.24
Quantidade mínima:	3000 unidades
Detalhes da embalagem:	3000 peças/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

MEU/CN/TW

Temperatura de cor (CCT):

635-666nm

Eficácia luminosa (lm/w):

115

Temperatura de cor:

660 nm

Emitindo Cor:

Vermelho

Tensão de entrada (v):

2,6V

Fluxo Luminoso (lm):

475 mW

Intensidade Luminosa:

178-256

Poder:

1-3W

Aplicativo:

Agricultura e Horticultura - Iluminação interna - Entretenimento

Corrente direta:

1000mA

Tamanho:

3030

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

CSSPM1.24 OSRAM LED Vermelho Intenso

3030 3W OSRAM LED Vermelho Intenso

666nm 3030 OSRAM LED Vermelho Intenso

Descrição do produto

Nome do produto	GH CSSPM1.24
Marca	CREE
Aplicações	- Agricultura e Horticultura- Entretenimento-- Iluminação Interna- Iluminação Externa e Industrial
Pacote	Pacote cerâmico SMT com lente de silicone
Corrente direta	1000mA
Comprimento de onda central	646nm--666nm
Tensão direta	2.6V
Potência:	1-3W

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Chip de LED SMD Diodo de Alta Potência 3W OSLON 3030 SSL Hiper Vermelho 635-666 nm

GH CSSPM1.24

OSLON®SSL 120

Nova família de LEDs OSLON SSL de alto desempenho com

robusta conhecida, alta confiabilidade, longa

vida útil, baixa resistência térmica. Atendendo perfeitamente

aplicações que exigem alta eficiência e longa

requisito de vida útil.

Aplicações

Arquitetura

Iluminação de Horticultura

Características

Pacote: Pacote cerâmico SMT com lente de silicone

Radiação Típica: Emissor Lambertiano de 120°

ESD: 8 kV de acordo com ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Classe 3B)

Fluxo Radiante: típico 475 mW

Eficiência Radiante: típica 65 %

Fluxo de Fótons Fotossintéticos: típico 2.58 μmol/s

1.Esta seção apresenta asClassificações Máximas para o dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, definindo seus limites operacionais seguros. A faixa de temperatura operacional () varia de um mínimo de a um máximo de, correspondendo à faixa de temperatura de armazenamento () que também se estende de a. A temperatura máxima permitida da junção () é especificada como, garantindo estabilidade térmica durante a operação. Para classificações de corrente, a corrente direta () tem um valor mínimo de e um máximo de, enquanto a corrente de surto () é classificada em um máximo de, medida com uma duração de pulso, ciclo de trabalho, e temperatura da junção. A corrente reversa máxima () é limitada a, e o dispositivo fornece uma tensão de suportabilidade ESD () de, em conformidade com o padrão ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Classe 3B), oferecendo proteção robusta contra descarga eletrostática para desempenho confiável em ambientes exigentes.

2.Esta seção apresenta asCaracterísticas do dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, medidas sob as condições de e. Em termos de desempenho óptico, o dispositivo tem um comprimento de onda de pico típico () de 660 nm, enquanto o comprimento de onda central () varia de um mínimo de 646 nm a um máximo de 666 nm, com um valor típico de 657 nm em. O comprimento de onda dominante () é de 640 nm (típico) sob a mesma corrente direta, e a largura de banda espectral () a 50% da intensidade máxima relativa é de 25 nm (típico), com um amplo ângulo de visão () de 120° (típico) a 50% da intensidade luminosa. Para características elétricas, a tensão direta () em varia de um mínimo de 1.80 V a um máximo de 2.60 V, com um valor típico de 2.07 V; a tensão reversa máxima () em é especificada como 1.2 V. Adicionalmente, a resistência térmica elétrica da junção ao ponto de solda () é de 2.4 K/W (típico), alcançada com uma eficiência () de 55%, suportando gerenciamento térmico eficaz durante a operação.

3.Esta seção do datasheet OSRAM GH CSSPM1.24 descreve osGrupos de Brilho, definidos por métricas ópticas e de eficiência chave medidas em. Três grupos de brilho são especificados: 4T, 1U e 2U, cada um com faixas distintas para fluxo radiante total (), Fluxo de Fótons Fotossintéticos (PPF, ), e Fluxo de Fótons (PF, ). O grupo 4T tem uma faixa de fluxo radiante total de 400–450 mW, com PPF variando de 2.17–2.44 µmol/s (PPF/W típico de 3.14 µmol/J) e PF variando de 2.18–2.45 µmol/s (PF/W típico de 3.14 µmol/J). O grupo 1U cobre um fluxo radiante total de 450–500 mW, com PPF de 2.44–2.71 µmol/s (PPF/W típico de 3.50 µmol/J) e PF de 2.45–2.72 µmol/s (PF/W típico de 3.51 µmol/J). O grupo de maior desempenho, 2U, oferece um fluxo radiante total de 500–560 mW, PPF de 2.71–3.04 µmol/s (PPF/W típico de 3.91 µmol/J) e PF de 2.72–3.05 µmol/s (PF/W típico de 3.92 µmol/J). Notas acompanhantes esclarecem que PPF ([*]) abrange comprimentos de onda entre 400 e 700 nm, enquanto PF ([**]) inclui comprimentos de onda de 280 a 800 nm, e ambos os valores de PPF e PF são fornecidos apenas para referência, garantindo um contexto claro para as medições de fluxo de fótons.

4.Esta seção detalha oagrupamento de Comprimento de Onda Central para o dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, medido a uma corrente direta. Um único grupo de comprimento de onda central, designado como Grupo 1, é especificado, cobrindo uma faixa de um mínimo de 646 nm a um máximo de 666 nm para o comprimento de onda central (). Este agrupamento unificado garante que todos os dispositivos dentro desta categoria mantenham um desempenho espectral central consistente, alinhando-se com o valor típico do comprimento de onda central de 657 nm delineado nas características principais do dispositivo, e fornecendo uma referência clara para o comportamento espectral óptico do dispositivo sob a condição operacional definida.

5.Esta seção descreve osGrupos de Tensão Direta para o dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, definidos por faixas de tensão direta () medidas a uma corrente direta. Quatro grupos de tensão distintos são especificados para categorizar dispositivos com base em seu desempenho elétrico: o Grupo F cobre uma faixa de tensão direta de 1.80 V a 2.00 V, o Grupo G abrange de 2.00 V a 2.20 V, o Grupo H varia de 2.20 V a 2.40 V, e o Grupo J se estende de 2.40 V a 2.60 V. Esses agrupamentos permitem a classificação precisa de dispositivos, garantindo características de tensão direta consistentes dentro de cada unidade de embalagem, alinhando-se com os limites gerais de tensão direta (mínimo 1.80 V, máximo 2.60 V) delineados nas características principais do dispositivo, e apoiando a integração confiável em aplicações alvo, fornecendo benchmarks elétricos claros e segmentados.

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

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detalhes dos produtos

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode Alta Potência 3W OSLON 3030 SSL Vermelho Intenso 635-666 nm

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