Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Светодиодный чип Smd, Высокая мощность 3 Вт OSLON 3030 SSL Гипер-красный 635-666 нм

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Светодиодный чип Smd, Высокая мощность 3 Вт OSLON 3030 SSL Гипер-красный 635-666 нм

Название бренда:	AMS-OSRAM
Номер модели:	ГГ CSSPM1.24
минимальный заказ:	3000 шт.
Детали упаковки:	3000 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Цветовая температура (CCT):

635-666 нм

Световая эффективность (лм/Вт):

115

Цветовая температура:

660 нм

Излучающий цвет:

Красный

Входное напряжение (В):

2,6 В

Световой поток (лм):

475 мВт

Яркость света:

178-256

Власть:

1-3W

Приложение:

Сельское хозяйство и садоводство-- Внутреннее освещение- Развлечения

Прямой ток:

1000 мА

Размер:

3030

Поставка способности:

100000

Выделить:

CSSPM1.24 OSRAM Гипер-красный светодиод

3030 3 Вт OSRAM Гипер-красный светодиод

666 нм 3030 OSRAM Гипер-красный светодиод

Описание продукта

Название продукта	GH CSSPM1.24
Бренд	CREE
Применение	- Сельское хозяйство и садоводство- Развлечения-- Внутреннее освещение- Наружное и промышленное освещение
Упаковка	SMT керамический корпус с силиконовой линзой
Прямой ток	1000 мА
Центральная длина волны	646 нм--666 нм
Прямое напряжение	2,6 В
Мощность:	1-3 Вт

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Светодиодный чип Smd High Power 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 нм

GH CSSPM1.24

OSLON®SSL 120

Новое, более производительное семейство светодиодов OSLON SSL с

хорошо известной превосходной прочностью, высокой надежностью, долгим

сроком службы, низким тепловым сопротивлением. Идеально подходит для

применений, требующих высокой эффективности и длительного

срока службы.

Применение

Архитектура

Освещение для садоводства

Особенности

Корпус: SMT керамический корпус с силиконовой линзой

Тип. излучение: 120° (ламбертовский излучатель)

ESD: 8 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 3B)

Поток излучения: типично 475 мВт

Эффективность излучения: типично 65 %

Фотосинтетический поток фотонов: типично 2,58 мкмоль/с

1. В этом разделе представлены Максимальные рейтинги для устройства OSRAM GH CSSPM1.24, определяющие его безопасные рабочие пределы. Диапазон рабочих температур (-40, что соответствует диапазону температур хранения (g°C135F и максимальное значение I мА≤, коэффициентом заполнения , и температурой перехода =) ограничен VХарактеристики= и °Cpeak

) 660 нм, в то время как центральная длина волны (λcentroid. Доминирующая длина волны (φ) при 350R указано как 1,2 В. Кроме того, электрическое тепловое сопротивление от перехода до точки пайки () составляет 2,4 К/Вт (типично), достигается с эффективностью () 55%, что способствует эффективному управлению тепловым режимом во время работы.), и потока фотонов (PF, E), и потока фотонов (PF, для устройства OSRAM GH CSSPM1.24, измеренные при прямом токе ). Группа 4T имеет диапазон общего потока излучения 400–450 мВт, с PPF в диапазоне 2,17–2,44 мкмоль/с (типичный PPF/Вт 3,14 мкмоль/Дж) и PF в диапазоне 2,18–2,45 мкмоль/с (типичный PF/Вт 3,14 мкмоль/Дж). Группа 1U охватывает общий поток излучения 450–500 мВт, с PPF 2,44–2,71 мкмоль/с (типичный PPF/Вт 3,50 мкмоль/Дж) и PF 2,45–2,72 мкмоль/с (типичный PF/Вт 3,51 мкмоль/Дж). Самая производительная группа, 2U, предлагает общий поток излучения 500–560 мВт, PPF 2,71–3,04 мкмоль/с (типичный PPF/Вт 3,91 мкмоль/Дж) и PF 2,72–3,05 мкмоль/с (типичный PF/Вт 3,92 мкмоль/Дж). Сопутствующие примечания поясняют, что PPF ([*]) учитывает длины волн от 400 до 700 нм, в то время как PF ([**]) включает длины волн от 280 до 800 нм, и оба значения PPF и PF предоставляются только для справки, обеспечивая четкий контекст для измерений потока фотонов. Группы центральной длины волны=λ

centroid). Эта унифицированная группировка гарантирует, что все устройства в этой категории поддерживают стабильную центральную спектральную производительность, соответствуя типичному значению центральной длины волны 657 нм, указанному в основных характеристиках устройства, и предоставляя четкую ссылку на спектральное поведение устройства в оптическом диапазоне в заданных условиях эксплуатации.5. В этом разделе описаны F. Указаны четыре различные группы напряжения для категоризации устройств по их электрическим характеристикам: Группа F охватывает диапазон прямого напряжения от 1,80 В до 2,00 В, Группа G — от 2,00 В до 2,20 В, Группа H — от 2,20 В до 2,40 В, а Группа J — от 2,40 В до 2,60 В. Эти группировки позволяют точно сортировать устройства, обеспечивая стабильные характеристики прямого напряжения в каждой упаковочной единице, соответствуют общим пределам прямого напряжения (минимум 1,80 В, максимум 2,60 В), указанным в основных характеристиках устройства, и поддерживают надежную интеграцию в целевые приложения, предоставляя четкие, сегментированные эталоны электрической производительности.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Светодиодный чип Smd, Высокая мощность 3 Вт OSLON 3030 SSL Гипер-красный 635-666 нм

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI