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ओसराम एलईडी चिप

एएमएस - ओएसआरएएम जीएच सीएसएसपीएम1.24 एसएमडी एलईडी चिप डायोड हाई पावर 3W ओएसएलॉन 3030 एसएसएल हाइपर रेड 635-666 एनएम

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एएमएस - ओएसआरएएम जीएच सीएसएसपीएम1.24 एसएमडी एलईडी चिप डायोड हाई पावर 3W ओएसएलॉन 3030 एसएसएल हाइपर रेड 635-666 एनएम

ब्रांड का नाम:	AMS-OSRAM
मॉडल नंबर:	जीएच सीएसएसपीएम1.24
MOQ:	3000PCS
पैकेजिंग विवरण:	3000 पीसी/रील
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

मेरा/CN/TW

रंग तापमान (सीसीटी):

635-666 एनएम

चमकदार प्रभावकारिता (एलएम/डब्ल्यू):

रंग तापमान:

660nm

रंग छोड़ना:

इनपुट वोल्टेज (वी):

2.6 वी

चमकदार प्रवाह (एलएम):

475 मेगावाट

चमकदार तीव्रता:

178-256

शक्ति:

आवेदन:

कृषि एवं बागवानी-- इनडोर प्रकाश व्यवस्था- मनोरंजन

आगे प्रवाह:

1000mA

आकार:

आपूर्ति की क्षमता:

100000

प्रमुखता देना:

सीएसएसपीएम1.24 ओएसआरएएम हाइपर रेड एलईडी

3030 3W ओएसआरएएम हाइपर रेड एलईडी

666nm 3030 ओएसआरएएम हाइपर रेड एलईडी

उत्पाद वर्णन

उत्पाद का नाम	GH CSSPM1.24
ब्रांड	CREE
अनुप्रयोग	- कृषि और बागवानी- मनोरंजन-- इनडोर लाइटिंग- आउटडोर और औद्योगिक प्रकाश व्यवस्था
पैकेज	SMT सिरेमिक पैकेज सिलिकॉन लेंस के साथ
फॉरवर्ड करंट	1000mA
सेंट्रोइड वेवलेंथ	646nm--666nm
फॉरवर्ड वोल्टेज	2.6V
पावर:	1-3W

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 स्मड एलईडी चिप डायोड हाई पावर 3W OSLON 3030 SSL हाइपर रेड 635-666 एनएम

GH CSSPM1.24

OSLON®SSL 120

नया, उच्च प्रदर्शन वाला OSLON SSL परिवार LED

अच्छी तरह से ज्ञात बेहतर मजबूती, उच्च विश्वसनीयता, लंबा

जीवनकाल, कम थर्मल प्रतिरोध। पूरी तरह से संबोधित करना

उच्च दक्षता और लंबे समय की मांग वाले अनुप्रयोग

जीवनकाल की आवश्यकता।

अनुप्रयोग

वास्तुकला

बागवानी प्रकाश व्यवस्था

विशेषताएं

पैकेज: SMT सिरेमिक पैकेज सिलिकॉन लेंस के साथ

टाइप. विकिरण: 120° (लैंबर्टियन एमिटर)

ESD: 8 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 3B)

रेडियंट फ्लक्स: टाइप. 475 mW

रेडियंट एफिशिएंसी: टाइप. 65 %

फोटोसिंथेटिक फोटॉन फ्लक्स: टाइप. 2.58 μmol/s

1. यह अनुभाग OSRAM GH CSSPM1.24 डिवाइस के लिएअधिकतम रेटिंगप्रस्तुत करता है, जो इसकी सुरक्षित ऑपरेटिंग सीमाएं परिभाषित करता है। ऑपरेटिंग तापमान रेंज (−40 तक फैली हुई है, जो स्टोरेज तापमान रेंज (g°C135F और अधिकतमI, पल्स अवधि10DJ के साथ मापा जाता है। अधिकतम रिवर्स करंट ( तक सीमित किया गया है, और डिवाइस ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 3B) मानक के अनुपालन मेंVFT°CλI

F=350mA2φmA)mA) के साथ प्राप्त 2.4 K/W (विशिष्ट) है, जो ऑपरेशन के दौरान प्रभावी थर्मल प्रबंधन का समर्थन करता है।ImAE=350सेंट्रोइड वेवलेंथ=350 की रूपरेखा तैयार करता है, जिसे फॉरवर्ड करंट) के लिए न्यूनतम 646 एनएम से अधिकतम 666 एनएम तक की सीमा को कवर करता है। यह एकीकृत ग्रुपिंग सुनिश्चित करती है कि इस श्रेणी के सभी डिवाइस लगातार स्पेक्ट्रल सेंट्रोइड प्रदर्शन बनाए रखें, जो डिवाइस की मुख्य विशेषताओं में उल्लिखित विशिष्ट सेंट्रोइड वेवलेंथ मान 657 एनएम के साथ संरेखित हो, और परिभाषित ऑपरेटिंग स्थिति के तहत डिवाइस के ऑप्टिकल स्पेक्ट्रल व्यवहार के लिए एक स्पष्ट संदर्भ प्रदान करता है। फॉरवर्ड वोल्टेज समूह=350F

) रेंज द्वारा परिभाषित किया गया है। चार अलग-अलग वोल्टेज समूह उनके विद्युत प्रदर्शन के आधार पर उपकरणों को वर्गीकृत करने के लिए निर्दिष्ट किए गए हैं: ग्रुप एफ 1.80 वी से 2.00 वी तक फॉरवर्ड वोल्टेज रेंज को कवर करता है, ग्रुप जी 2.00 वी से 2.20 वी तक फैला हुआ है, ग्रुप एच 2.20 वी से 2.40 वी तक है, और ग्रुप जे 2.40 वी से 2.60 वी तक फैला हुआ है। ये ग्रुपिंग उपकरणों की सटीक बिनिंग को सक्षम करते हैं, प्रत्येक पैकिंग यूनिट के भीतर लगातार फॉरवर्ड वोल्टेज विशेषताओं को सुनिश्चित करते हैं, डिवाइस की मुख्य विशेषताओं में उल्लिखित समग्र फॉरवर्ड वोल्टेज सीमाओं (न्यूनतम 1.80 वी, अधिकतम 2.60 वी) के साथ संरेखित होते हैं, और स्पष्ट, खंडित विद्युत प्रदर्शन बेंचमार्क प्रदान करके लक्षित अनुप्रयोगों में विश्वसनीय एकीकरण का समर्थन करते हैं।

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