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オスラム LED チップ
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AMS - OSRAM GH CSSPM1.24 SMD LEDチップダイオード ハイパワー 3W OSLON 3030 SSL ハイパーレッド 635-666 nm

AMS - OSRAM GH CSSPM1.24 SMD LEDチップダイオード ハイパワー 3W OSLON 3030 SSL ハイパーレッド 635-666 nm

ブランド名: AMS-OSRAM
モデル番号: GH CSSPM1.24
MOQ: 3000個
梱包の詳細: 3000個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
私の/中国/台湾
色温度(CCT):
635~666nm
発光効率(lm/w):
115
色温度:
660nm
発光色:
赤
入力電圧(v):
2.6V
光束(lm):
475 mW
光度:
178-256
力:
1-3W
応用:
農業および園芸 - 屋内照明 - エンターテイメント
順電流:
1000mA
サイズ:
3030
供給の能力:
100000
ハイライト:

CSSPM1.24 OSRAM ハイパーレッド LED

,

3030 3W OSRAM ハイパーレッド LED

,

666nm 3030 OSRAM ハイパーレッド LED

製品説明

 

AMS - OSRAM GH CSSPM1.24 SMD LEDチップダイオード ハイパワー 3W OSLON 3030 SSL ハイパーレッド 635-666 nm
AMS - OSRAM GH CSSPM1.24 SMD LEDチップダイオード ハイパワー 3W OSLON 3030 SSL ハイパーレッド 635-666 nm
製品名
GH CSSPM1 について24
ブランド
クリー
申請
- 農業と園芸 - 娯楽 - 室内照明 - 屋外と産業照明
パッケージ
シリコンレンズ付きのSMTセラミックパッケージ
前向きの電流
1000mA
中心波帯
646nm~666nm
前向きの電圧
2.6V
パワー:
1〜3W

 

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd LEDチップダイオード 高電力 3W OSLON 3030 SSL ハイパーレッド 635-666 nm

 

GH CSSPM1 について24
OSLON®SSL 120
OSLON SSL LEDファミリー
高い耐久性,高い信頼性
耐熱性も低い
高効率で長時間使用を要求するアプリケーション
生涯にわたる必要性

 

申請
建築
ガーデニング照明
 
特徴
パッケージ:シリコンレンズ付きのSMTセラミックパック
タイプ 放射線:120° (ランバーティアン発射器)
ESD: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM,クラス3B) に準拠して8kV
放射流量:通常475mW
放射線効率:通常 65%
光合成光子流量:通常2.58 μmol/s
 
1このセクションでは,最大格付けOSRAM GH CSSPM1.24 装置の安全運転制限値を定義する.) は,最低でも最大で貯蔵温度範囲に一致する () にも及びます.に容認できる最大交差点温度 () は,次のように指定されています.熱安定性を確保する.電流の定位では,前向きの電流 () の最低値である.最大で波長電流 () は,最大で脈長で測定される作業サイクル交差点温度最大逆電流 () に限られています装置はESD抵抗電圧 () の, ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM,クラス3B) 規格に準拠し,要求の高い環境で信頼性の高い性能のために強力な静電放電保護を提供します.
 
2このセクションでは,特徴OSRAM GH CSSPM1.24 装置で測定されたそして光学性能に関しては,デバイスは典型的なピーク波長を持っています (660 nm で,中央波長 () は最低646nmから最大666nmで,通常値は657nmで,支配波長 (周波数帯域幅は640nm (典型的には) で,同じ前向きの電流で50%の相対最大強度は25nm (典型的な) で,広い視角 (電気特性については,前向き電圧 () に最大逆電圧は2.7Vで,最低1.80Vから最大2.60Vまで) にさらに,接点から溶接点までの電気熱抵抗 (効率が 2.4 K/W (典型的な) に達する (運用中の効率的な熱管理を支援する
 
3このOSRAM GH CSSPM1.24データシートのセクションでは,亮度グループ測定された主要な光学および効率指標によって定義されます.4T,1U,2Uの3つの明るさグループが指定されており,それぞれが総放射流量 (光合成光子流 (PPF)フォトン流量 (PF,) グループ4Tは,PPFが2.17−2.44μmol/s (典型PPF/Wは3.14μmol/J) とPFが2.18−2.45μmol/s (典型PF/Wは3.14μmol/J) で,合計放射流域は400−450mWである.グループ1Uは,合計放射流量450~500mWをカバーする.,PPFは2.44−2.71μmol/s (PPF/Wは3.50μmol/J) とPFは2.45−2.72μmol/s (PF/Wは3.51μmol/J) で,最高性能グループである2Uは500−560mWの総放射流量を提供しています.2 の PPF.71.3.04 μmol/s (PPF/Wは3.91 μmol/J) とPFは2.72.3.05 μmol/s (PF/Wは3.92 μmol/J) 添付注釈は,PPF ([*]) は波長400〜700nmを構成することを明示する.一方 PF ([**]) は,280 nm から 800 nm の波長を含む.,PPFとPFの両方の値は参照のためにのみ提供され,光子流量測定の明確な文脈が確保されます.
 
4このセクションでは,中心型波長OSRAM GH CSSPM1.24装置のグループ化,前向きの電流で測定単一の中心波長グループ,グループ1として指定され,中心波長の範囲は最低646nmから最大666nmまで () この統一されたグループ化により,このカテゴリ内のすべてのデバイスが一貫したスペクトル中位性能を維持することが確保されます.デバイスの基本特性に記載されている 657 nm の典型的な中心波長値に準拠する定義された動作条件下での装置の光スペクトル行動の明確な参照を提供する.

 

 

5このセクションでは,前向き電圧群OSRAM GH CSSPM1.24 デバイスでは,前向きの電圧で定義される () 前向きの電流で測定された範囲電気性能に基づいて装置を分類するために,4つの異なる電圧グループが指定されています.グループFは1.80Vから2.00Vまでの前向き電圧範囲をカバーし,グループGは2.00Vから2.20Vをカバーします.グループHは2から.20Vから2.40V,グループJは2.40Vから2.60Vまで広がります.これらのグループ化により,各パッケージングユニット内の一貫した前向き電圧特性を確保し,デバイスの精密なビニングが可能になります.総前向き電圧制限値に準拠する (最低1.80V,最大2.60V) が装置の基本特性に記載されており,明確なセグメント化された電気性能ベンチマークを提供することで,ターゲットアプリケーションへの信頼性の高い統合をサポートします.