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dettagli dei prodotti

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CHIP LED OSRAM
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AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diodo Alta Potenza 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diodo Alta Potenza 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

Marchio: AMS-OSRAM
Numero di modello: GH CSSPM1.24
MOQ: 3000 pezzi
Dettagli dell'imballaggio: 3000 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
MY/CN/TW
Temperatura del colore (CCT):
635-666 nm
Efficacia luminosa (lm/w):
115
Temperatura del colore:
660 nm
Emissione di colore:
Rosso
Tensione in ingresso (v):
2,6 V
Flusso luminoso (lm):
475 mW
Intensità luminosa:
178-256
Energia:
1-3W
Applicazione:
Agricoltura e orticoltura- Illuminazione per interni- Intrattenimento
Corrente diretta:
1000mA
Misurare:
3030
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

CSSPM1.24 OSRAM Hyper Red LED

,

3030 3W OSRAM Hyper Red LED

,

666nm 3030 OSRAM Hyper Red LED

Descrizione del prodotto

 

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diodo Alta Potenza 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm
AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diodo Alta Potenza 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm
Nome del prodotto
GH CSSPM1.24
Marchio
CREE
Applicazioni
- Agricoltura e orticoltura - Intrattenimento - Illuminazione interna - Illuminazione esterna e industriale
Pacco
Imballaggio in ceramica SMT con lente in silicone
Corrente in avanti
1000 mA
Centroid Wavelengt
646 nm - 666 nm
Voltaggio in avanti
2.6V
Potenza:
1-3W

 

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 SMD LED diodo a chip ad alta potenza 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

 

GH CSSPM1.24
OSLON®SSL 120
Nuovo LED della famiglia OSLON SSL con prestazioni più elevate
ben nota robustezza superiore, alta affidabilità,
Perfettamente in grado di affrontare i problemi di sicurezza.
Applicazioni che richiedono un'elevata efficienza e lunghe
esigenza di vita.

 

Applicazioni
Architettura
Illuminazione per l'orticoltura
 
Caratteristiche
Imballaggio: imballaggio in ceramica SMT con lente in silicone
Tipo di radiazione: 120° (emettitore lambertiano)
ESD: 8 kV secondo ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, classe 3B)
Flusso radiante: tipicamente 475 mW
Eficienza radiante: tipicamente 65 %
Flusso fotonico fotosintetico: tipicamente 2,58 μmol/s
 
1.Questa sezione presenta leClassificazione massimaper il dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, definendo i suoi limiti di sicurezza di funzionamento.) si estende da un minimo dial massimo di, corrispondente all'intervallo di temperatura di stoccaggio () che si estende anche daaLa temperatura massima ammissibile di giunzione () è specificato come, garantendo la stabilità termica durante il funzionamento.) ha un valore minimoe un massimo di, mentre la corrente di sovratensione () è valutato al massimo, misurata con una durata di impulso, ciclo di lavoro, e temperatura di giunzione. La corrente inversa massima () è limitata a:, e il dispositivo fornisce una tensione di resistenza ESD () di, conforme alla norma ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, classe 3B), fornendo una robusta protezione dalle scariche elettrostatiche per prestazioni affidabili in ambienti difficili.
 
2.Questa sezione presenta leCaratteristichedel dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, misurato alle condizioni di:- eIn termini di prestazioni ottiche, il dispositivo ha una lunghezza d'onda di picco tipica () di 660 nm, mentre la lunghezza d'onda del centroide () varia da un minimo di 646 nm a un massimo di 666 nm, con un valore tipico di 657 nm al. La lunghezza d'onda dominante () è di 640 nm (tipico) sotto la stessa corrente in avanti, e la larghezza di banda spettrale () al 50% l'intensità massima relativa è di 25 nm (tipico), con un angolo di visione ampio (Per le caratteristiche elettriche, la tensione in avanti () alLa tensione massima inversa () alLa resistenza termica elettrica dalla giunzione al punto di saldatura () è di 2,4 K/W (tipico), ottenuto con un'efficienza () del 55%, a sostegno di una gestione termica efficace durante il funzionamento
 
3.Questa sezione della scheda dati OSRAM GH CSSPM1.24 illustra leGruppi di luminosità, definita da metriche ottiche e di efficienzaSono specificati tre gruppi di luminosità: 4T, 1U e 2U, ciascuno con intervalli distinti per il flusso radiante totale (), il flusso fotonico fotosintetico (PPF,), e il flusso di fotoni (PF,) Il gruppo 4T ha un flusso radiante complessivo di 400-450 mW, con PPF di 2,17-2,44 μmol/s (PPF/W tipico di 3,14 μmol/J) e PF di 2,18-2,45 μmol/s (PF/W tipico di 3,14 μmol/J).Il gruppo 1U copre un flusso radiante totale di 450-500 mW, con PPF di 2,44 ∼2,71 μmol/s (PPF/W tipico di 3,50 μmol/J) e PF di 2,45 ∼2,72 μmol/s (PF/W tipico di 3,51 μmol/J).PPF di 2.71·3,04 μmol/s (PPF/W tipico di 3,91 μmol/J) e PF di 2,72·3,05 μmol/s (PF/W tipico di 3,92 μmol/J).mentre PF ([**]) comprende lunghezze d'onda da 280 a 800 nm, e sia i valori PPF che PF sono forniti a titolo di riferimento, garantendo un contesto chiaro per le misurazioni del flusso di fotoni.
 
4.Questa sezione illustra in dettaglioLunghezza d'onda del centroideraggruppamento per il dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, misurato a corrente in avanti. è specificato un unico gruppo di lunghezza d'onda centroica, denominato gruppo 1, che copre un intervallo da un minimo di 646 nm a un massimo di 666 nm per la lunghezza d'onda centroica () Questo raggruppamento unificato garantisce che tutti i dispositivi appartenenti a questa categoria mantengano prestazioni di centroide spettrale coerenti,allineamento con il valore tipico della lunghezza d'onda del centroide di 657 nm descritto nelle caratteristiche principali del dispositivo, fornendo un chiaro riferimento per il comportamento spettrale ottico del dispositivo nelle condizioni di funzionamento definite.

 

 

5.Questa sezione illustra leGruppi di tensione in avantiper il dispositivo OSRAM GH CSSPM1.24, definito da tensione in avanti () intervalli misurati a corrente in avantiPer la classificazione dei dispositivi in base alle loro prestazioni elettriche sono specificati quattro gruppi di tensione distinti: il gruppo F copre un intervallo di tensione di 1,80 V a 2,00 V, il gruppo G si estende da 2,00 V a 2,20 V,Gruppo H varia da 2.20 V a 2.40 V, e il gruppo J si estende da 2.40 V a 2.60 V. Questi raggruppamenti consentono un'accoppiatura precisa dei dispositivi, garantendo caratteristiche di tensione in avanti coerenti all'interno di ciascuna unità di imballaggio,allineamento con i limiti generali di tensione anteriore (minimo 1.80 V, massimo 2,60 V) delineati nelle caratteristiche principali del dispositivo, e supportando un'integrazione affidabile nelle applicazioni target fornendo benchmark di prestazione elettrica chiari e segmentati.