rincian produk

Rumah Produk

CHIP LED OSRAM

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode High Power 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

Semua Kategori

Chip Led Daya Tinggi

Hubungi Kami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Hubungi Sekarang

Semua Kategori

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode High Power 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

Nama Merek:	AMS-OSRAM
Nomor Model:	GH CSSPM1.24
MOQ:	3000 buah
Detail Kemasan:	3000pcs/Gulungan
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

SAYA/CN/TW

Suhu Warna (CCT):

635-666nm

Khasiat Bercahaya (lm/w):

Suhu Warna:

660 nm

Memancarkan Warna:

Merah

Tegangan masukan (v):

Fluks Bercahaya (lm):

475 mW

Intensitas Cahaya:

178-256

Kekuatan:

Aplikasi:

Pertanian & Hortikultura-- Pencahayaan Dalam Ruangan- Hiburan

Arus Maju:

1000mA

Ukuran:

Menyediakan kemampuan:

100.000

Menyoroti:

CSSPM1.24 OSRAM Hyper Red LED

3030 3W OSRAM Hyper Red LED

666nm 3030 OSRAM Hyper Red LED

Deskripsi Produk

Nama Produk	GH CSSPM1.24
Merek	CREE
Aplikasi	- Pertanian & Hortikultura- Hiburan-- Pencahayaan Dalam Ruangan- Pencahayaan Luar Ruangan & Industri
Paket	Paket keramik SMT dengan lensa silikon
Arus Maju	1000mA
Panjang Gelombang Sentroid	646nm--666nm
Tegangan Maju	2.6V
Daya:	1-3W

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode Daya Tinggi 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

GH CSSPM1.24

OSLON®SSL 120

Keluarga OSLON SSL yang baru, berkinerja lebih tinggi dengan

ketahanan superior yang terkenal, keandalan tinggi, lama

masa pakai, resistansi termal rendah. Sempurna mengatasi

aplikasi yang menuntut efisiensi tinggi dan lama

persyaratan masa pakai.

Aplikasi

Arsitektur

Pencahayaan Hortikultura

Fitur

Paket: Paket keramik SMT dengan lensa silikon

Radiasi Tipikal: 120° (pemancar Lambertian)

ESD: 8 kV sesuai dengan ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Kelas 3B)

Fluks Radiasi: tipikal 475 mW

Efisiensi Radiasi: tipikal 65 %

Fluks Foton Fotosintetik: tipikal 2,58 μmol/s

1.Bagian ini menyajikanPeringkat Maksimumuntuk perangkat OSRAM GH CSSPM1.24, mendefinisikan batas operasi amannya. Rentang suhu operasi () membentang dari minimum125T40∘j∘FmAmAFSmA≤=JRmAESkVKarakteristik

dari perangkat OSRAM GH CSSPM1.24, diukur dalam kondisiIF=350mA. Empat grup tegangan yang berbeda ditentukan untuk mengkategorikan perangkat berdasarkan kinerja listriknya: Grup F mencakup rentang tegangan maju dari 1,80 V hingga 2,00 V, Grup G berkisar 2,00 V hingga 2,20 V, Grup H berkisar dari 2,20 V hingga 2,40 V, dan Grup J meluas dari 2,40 V hingga 2,60 V. Pengelompokan ini memungkinkan penentuan bin perangkat yang tepat, memastikan karakteristik tegangan maju yang konsisten dalam setiap unit pengemasan, sejajar dengan batas tegangan maju keseluruhan (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) yang diuraikan dalam karakteristik inti perangkat, dan mendukung integrasi yang andal ke dalam aplikasi target dengan menyediakan tolok ukur kinerja listrik yang jelas dan tersegmentasi. JpeakcentroidF=350mA. Empat grup tegangan yang berbeda ditentukan untuk mengkategorikan perangkat berdasarkan kinerja listriknya: Grup F mencakup rentang tegangan maju dari 1,80 V hingga 2,00 V, Grup G berkisar 2,00 V hingga 2,20 V, Grup H berkisar dari 2,20 V hingga 2,40 V, dan Grup J meluas dari 2,40 V hingga 2,60 V. Pengelompokan ini memungkinkan penentuan bin perangkat yang tepat, memastikan karakteristik tegangan maju yang konsisten dalam setiap unit pengemasan, sejajar dengan batas tegangan maju keseluruhan (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) yang diuraikan dalam karakteristik inti perangkat, dan mendukung integrasi yang andal ke dalam aplikasi target dengan menyediakan tolok ukur kinerja listrik yang jelas dan tersegmentasi. domλφFR=350mA. Empat grup tegangan yang berbeda ditentukan untuk mengkategorikan perangkat berdasarkan kinerja listriknya: Grup F mencakup rentang tegangan maju dari 1,80 V hingga 2,00 V, Grup G berkisar 2,00 V hingga 2,20 V, Grup H berkisar dari 2,20 V hingga 2,40 V, dan Grup J meluas dari 2,40 V hingga 2,60 V. Pengelompokan ini memungkinkan penentuan bin perangkat yang tepat, memastikan karakteristik tegangan maju yang konsisten dalam setiap unit pengemasan, sejajar dengan batas tegangan maju keseluruhan (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) yang diuraikan dalam karakteristik inti perangkat, dan mendukung integrasi yang andal ke dalam aplikasi target dengan menyediakan tolok ukur kinerja listrik yang jelas dan tersegmentasi. RRthJS elec.eGrup Kecerahan

, didefinisikan oleh metrik optik dan efisiensi utama yang diukur padaIF=350mA. Empat grup tegangan yang berbeda ditentukan untuk mengkategorikan perangkat berdasarkan kinerja listriknya: Grup F mencakup rentang tegangan maju dari 1,80 V hingga 2,00 V, Grup G berkisar 2,00 V hingga 2,20 V, Grup H berkisar dari 2,20 V hingga 2,40 V, dan Grup J meluas dari 2,40 V hingga 2,60 V. Pengelompokan ini memungkinkan penentuan bin perangkat yang tepat, memastikan karakteristik tegangan maju yang konsisten dalam setiap unit pengemasan, sejajar dengan batas tegangan maju keseluruhan (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) yang diuraikan dalam karakteristik inti perangkat, dan mendukung integrasi yang andal ke dalam aplikasi target dengan menyediakan tolok ukur kinerja listrik yang jelas dan tersegmentasi. Epp,b). Grup 4T memiliki rentang fluks radiasi total 400–450 mW, dengan PPF berkisar 2,17–2,44 μmol/s (PPF/W tipikal 3,14 μmol/J) dan PF berkisar 2,18–2,45 μmol/s (PF/W tipikal 3,14 μmol/J). Grup 1U mencakup fluks radiasi total 450–500 mW, dengan PPF 2,44–2,71 μmol/s (PPF/W tipikal 3,50 μmol/J) dan PF 2,45–2,72 μmol/s (PF/W tipikal 3,51 μmol/J). Grup berkinerja tertinggi, 2U, menawarkan fluks radiasi total 500–560 mW, PPF 2,71–3,04 μmol/s (PPF/W tipikal 3,91 μmol/J), dan PF 2,72–3,05 μmol/s (PF/W tipikal 3,92 μmol/J). Catatan yang menyertai mengklarifikasi bahwa PPF ([*]) memperhitungkan panjang gelombang antara 400 dan 700 nm, sedangkan PF ([**]) mencakup panjang gelombang dari 280 hingga 800 nm, dan nilai PPF serta PF disediakan hanya untuk referensi, memastikan konteks yang jelas untuk pengukuran fluks foton.350Pengelompokan Panjang Gelombang Sentroid

untuk perangkat OSRAM GH CSSPM1.24, diukur pada arus majuIF=350mA. Empat grup tegangan yang berbeda ditentukan untuk mengkategorikan perangkat berdasarkan kinerja listriknya: Grup F mencakup rentang tegangan maju dari 1,80 V hingga 2,00 V, Grup G berkisar 2,00 V hingga 2,20 V, Grup H berkisar dari 2,20 V hingga 2,40 V, dan Grup J meluas dari 2,40 V hingga 2,60 V. Pengelompokan ini memungkinkan penentuan bin perangkat yang tepat, memastikan karakteristik tegangan maju yang konsisten dalam setiap unit pengemasan, sejajar dengan batas tegangan maju keseluruhan (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) yang diuraikan dalam karakteristik inti perangkat, dan mendukung integrasi yang andal ke dalam aplikasi target dengan menyediakan tolok ukur kinerja listrik yang jelas dan tersegmentasi. centroidGrup Tegangan Maju

untuk perangkat OSRAM GH CSSPM1.24, didefinisikan oleh rentang tegangan maju (VFF=350mA. Empat grup tegangan yang berbeda ditentukan untuk mengkategorikan perangkat berdasarkan kinerja listriknya: Grup F mencakup rentang tegangan maju dari 1,80 V hingga 2,00 V, Grup G berkisar 2,00 V hingga 2,20 V, Grup H berkisar dari 2,20 V hingga 2,40 V, dan Grup J meluas dari 2,40 V hingga 2,60 V. Pengelompokan ini memungkinkan penentuan bin perangkat yang tepat, memastikan karakteristik tegangan maju yang konsisten dalam setiap unit pengemasan, sejajar dengan batas tegangan maju keseluruhan (minimum 1,80 V, maksimum 2,60 V) yang diuraikan dalam karakteristik inti perangkat, dan mendukung integrasi yang andal ke dalam aplikasi target dengan menyediakan tolok ukur kinerja listrik yang jelas dan tersegmentasi.

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

rincian produk

AMS -OSRAM GH CSSPM1.24 Smd Led chip diode High Power 3W OSLON 3030 SSL Hyper Red 635-666 nm

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI