รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

INA818IDR TI ชิป INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Low Power Precision Instrumentation Amplifier

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

INA818IDR TI ชิป INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Low Power Precision Instrumentation Amplifier

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	INA818IDR
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

แบบอย่าง:

LM3150MHX/นพป

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

แบนด์วิดธ์ 3dB:

2 เมกะเฮิรตซ์

อัตราการฆ่า:

900 มิลลิโวลต์/us

กระแสไฟในการทำงาน:

350 ยูเอ

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

INA818IDR TI ชิป

INA818IDR เครื่องขยายสัญญาณ

เครื่องขยายสัญญาณกำลังต่ำ

รายละเอียดสินค้า

TI Chips INA818IDR INA818 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier

คุณสมบัติ

• แรงดันออฟเซ็ตต่ำ: 10 µV (ทั่วไป), 35 µV (สูงสุด)

• อัตราการดริฟต์ของอัตราขยาย: 5 ppm/°C (G = 1),

35 ppm/°C (G > 1) (สูงสุด)

• สัญญาณรบกวน: 8 nV/√Hz

• แบนด์วิดท์: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100)

• เสถียรกับโหลดคาปาซิทีฟ 1-nF

• อินพุตได้รับการป้องกันสูงสุด ±60 V

• อัตราส่วนการปฏิเสธโหมดร่วม: 110 dB, G = 10 (ขั้นต่ำ)

• อัตราส่วนการปฏิเสธแรงดันไฟเลี้ยง: 100 dB, G = 1 (ขั้นต่ำ)

• กระแสไฟเลี้ยง: 385 µA (สูงสุด)

• ช่วงแรงดันไฟเลี้ยง:

– แหล่งจ่ายไฟเดี่ยว: 4.5 V ถึง 36 V

– แหล่งจ่ายไฟคู่: ±2.25 V ถึง ±18 V

• อุณหภูมิที่ระบุ: –40°C ถึง +125°C

• แพ็คเกจ: 8-pin SOIC

การใช้งาน

• เครื่องวัดอุตสาหกรรม

• เครื่องส่งสัญญาณอัตราการไหล

• อุปกรณ์ทดสอบแบตเตอรี่

• เครื่องวัดผู้ป่วยหลายพารามิเตอร์

• โมดูลอินพุตแอนะล็อก

• อุปกรณ์ทดสอบสารกึ่งตัวนำ

• เครื่องมือวัดแบบพกพา

คำอธิบาย

INA818 เป็นเครื่องมือวัดความแม่นยำสูง

แอมพลิฟายเออร์ที่ใช้พลังงานต่ำและ

ทำงานในช่วงแรงดันไฟเลี้ยงเดี่ยวหรือคู่ที่กว้างมาก

ช่วง แรงดันไฟเลี้ยงภายนอกเพียงตัวเดียวสามารถตั้งค่าอัตราขยายใดก็ได้

ตั้งแต่ 1 ถึง 10000 อุปกรณ์ให้ความแม่นยำสูงเนื่องจาก

ทรานซิสเตอร์อินพุตแบบซุปเปอร์เบต้า ซึ่งให้

แรงดันออฟเซ็ตอินพุตต่ำเป็นพิเศษ, แรงดันออฟเซ็ต

การดริฟต์, กระแสไบอัสอินพุต, แรงดันอินพุต และกระแส

สัญญาณรบกวน วงจรเพิ่มเติมป้องกันอินพุตจาก

แรงดันเกินสูงสุด ±60 V.

INA818 ได้รับการปรับให้เหมาะสมเพื่อให้มีอัตราส่วนการปฏิเสธโหมดร่วมสูง

ที่ G = 1 อัตราส่วนการปฏิเสธโหมดร่วม

เกิน 90 dB ตลอดช่วงอินพุตโหมดร่วมเต็มรูปแบบ

อุปกรณ์ได้รับการออกแบบมาสำหรับการทำงานแรงดันต่ำจากแหล่งจ่ายไฟเดี่ยว 4.5-V เช่นเดียวกับ

แหล่งจ่ายไฟคู่สูงสุด ±18 V.

INA818 มีจำหน่ายในแพ็คเกจ SOIC แบบ 8 ขา

และ ระบุ

ในช่วง อุณหภูมิ –40°C ถึง +125°C ช่วง.

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

INA818IDR TI ชิป INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Low Power Precision Instrumentation Amplifier

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI