Name: INA818IDR TI 칩 INA818 35-μV 오프셋 8-nV/√Hz 노이즈 저전력 정밀 기기 증폭기
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: INA818IDR
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	TI Chips
모델 번호:	INA818IDR
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국

문서:

ina818.pdf

제품명:

TI 칩

모델:

LM3150MHX/NOPB

유형:

SMD/SMT

3dB 대역폭:

2 MHZ

슬림 속도:

900mV/us

작동 전원 전류:

350 uA

공급 능력:

1000000

강조하다:

INA818IDR TI 칩

INA818IDR 기기 증폭기

저전력 계측 증폭기

제품 설명

TI 칩 INA818IDR INA818 35-μV 오프셋, 8-nV/√Hz 노이즈, 저전력, 정밀 계측 증폭기

기능

• 낮은 오프셋 전압: 10 μV (일반), 35 μV (최대)

• 이득 드리프트: 5 ppm/°C (G = 1),

35 ppm/°C (G > 1) (최대)

• 노이즈: 8 nV/√Hz

• 대역폭: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100)

• 1-nF 용량성 부하에서 안정적

• 입력 보호: ±60 V

• 공통 모드 제거비: 110 dB, G = 10 (최소)

• 전원 공급 제거비: 100 dB, G = 1 (최소)

• 공급 전류: 385 μA (최대)

• 공급 전압 범위:

– 단일 공급: 4.5 V ~ 36 V

– 이중 공급: ±2.25 V ~ ±18 V

• 지정 온도: –40°C ~ +125°C

• 패키지: 8핀 SOIC

애플리케이션

• 산업용 모니터

• 유량 송신기

• 배터리 테스트 장비

• 다중 파라미터 환자 모니터

• 아날로그 입력 모듈

• 반도체 테스트 장비

• 휴대용 계측기

설명

INA818은 저전력 소비와

매우 넓은 단일 또는 이중 공급 범위에서 작동하는

고정밀 계측 증폭기입니다. 단일 외부 저항으로 1

에서 10000까지의 모든 이득을 설정할 수 있습니다. 이 장치는

매우 낮은 입력 오프셋 전압, 오프셋 전압

드리프트, 입력 바이어스 전류, 입력 전압 및 전류

노이즈를 제공하는 슈퍼 베타 입력 트랜지스터 덕분에 높은 정밀도를 제공합니다.

추가 회로가 ±60 V까지의 과전압으로부터 입력을 보호합니다.

INA818은 높은 공통

모드 제거비를 제공하도록 최적화되었습니다. G = 1에서 공통 모드

제거비는 전체 입력 공통 모드 범위에 걸쳐 90 dB를 초과합니다. 이 장치는 4.5-V 단일 공급에서의 저전압 작동뿐만 아니라

±18 V까지의 이중 공급에서도 작동하도록 설계되었습니다.

INA818은 8핀 SOIC 패키지로 제공되며

–40°C ~ +125°C의 온도 범위에서

지정됩니다.

태그:

티 전력 관리 ic

티 모터 드라이버

티 ldo 레귤레이터

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