chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

chip TI

INA818IDR TI Chips INA818 Bộ khuếch đại đo lường chính xác công suất thấp 35-μV Độ lệch 8-nV/√Hz Tiếng ồn

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

INA818IDR TI Chips INA818 Bộ khuếch đại đo lường chính xác công suất thấp 35-μV Độ lệch 8-nV/√Hz Tiếng ồn

Tên thương hiệu:	TI Chips
Số mô hình:	INA818IDR
MOQ:	2500
Chi tiết đóng gói:	2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tài liệu:

Tên sản phẩm:

chip TI

người mẫu:

LM3150MHX/NOPB

Kiểu:

SMD/SMT

Băng thông 3dB:

2 MHz

Tốc độ quay:

900 mV/chúng tôi

Nguồn điện hoạt động hiện tại:

350 uA

Khả năng cung cấp:

1000000

Làm nổi bật:

INA818IDR TI Chips

INA818IDR Bộ khuếch đại đo lường

Máy tăng cường dụng cụ năng lượng thấp

Mô tả sản phẩm

TI Chips INA818IDR INA818 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Tiếng ồn, Điện năng thấp, Bộ khuếch đại thiết bị chính xác

Đặc điểm

•Điện áp chuyển đổi thấp: 10 μV (thường), 35 μV (tối đa)

•Động cơ tăng: 5 ppm/°C (G = 1),

35 ppm/°C (G > 1) (tối đa)

•Tiếng ồn: 8 nV/√Hz

•băng thông: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100)

•Thường ổn định với tải độ 1-nF

•Các đầu vào được bảo vệ đến ± 60 V

•Phân loại chế độ thông thường: 110 dB, G = 10 (min)

•Sự từ chối nguồn điện: 100 dB, G = 1 (min)

•Dòng điện cấp: 385 μA (tối đa)

•Phạm vi điện áp cung cấp:

¢ Điện đơn: 4,5V đến 36V

️ Cung cấp điện kép: ±2,25 V đến ±18 V

•Nhiệt độ được chỉ định: từ ¥40°C đến +125°C

•Gói: 8-pin SOIC

Ứng dụng

•Máy hiển thị công nghiệp

•Máy truyền dòng chảy

•Thiết bị thử nghiệm pin

•Máy theo dõi bệnh nhân đa tham số

•Các mô-đun đầu vào analog

•Thiết bị thử nghiệm bán dẫn

•Thiết bị thiết bị di động

Mô tả

INA818 là một công cụ chính xác cao

bộ khuếch đại cung cấp tiêu thụ điện năng thấp và

hoạt động trên một nguồn cung cấp đơn hoặc kép rất rộng.

Một kháng cự bên ngoài duy nhất thiết lập bất kỳ tăng

từ 1 đến 10000 thiết bị cung cấp độ chính xác cao như

kết quả của siêu transistor đầu vào beta, cung cấp

Điện áp chuyển đổi đầu vào thấp đặc biệt, điện áp chuyển đổi

drift, input bias current, input voltage, và current

Các mạch bổ sung bảo vệ các đầu vào chống lại

Điện áp quá cao đến ± 60 V.

INA818 được tối ưu hóa để cung cấp một

tỷ lệ từ chối chế độ. tại G = 1, các chế độ chung

tỷ lệ từ chối vượt quá 90 dB trên toàn bộ đầu vào

Thiết bị được thiết kế để sử dụng ở mức thấp.

hoạt động điện áp từ một nguồn cấp điện đơn 4,5-V, cũng như

như nguồn cung cấp kép lên đến ± 18 V.

INA818 có sẵn trong một gói SOIC 8-pinvà

làđược chỉ địnhkết thúccác40°Cđến+125°Cphạm vi nhiệt độ.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

INA818IDR TI Chips INA818 Bộ khuếch đại đo lường chính xác công suất thấp 35-μV Độ lệch 8-nV/√Hz Tiếng ồn

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI