logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chipsy TI
Created with Pixso.

INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Wzmacniacz precyzyjny o niskim poborze mocy

INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Wzmacniacz precyzyjny o niskim poborze mocy

Nazwa marki: TI Chips
Numer modelu: INA818IDR
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Dokument:
Nazwa produktu:
Chipsy TI
model:
LM3150MHX/NOPB
Typ:
SMD/SMT
Szerokość pasma 3dB:
2MHz
Szybkość narastania:
900 mV/us
Roboczy prąd zasilania:
350 uA
Możliwość Supply:
1000000
Podkreślić:

INA818IDR TI Chips

,

INA818IDR Wzmacniacz instrumentalny

,

Wzmacniacz instrumentalny o niskim poborze mocy

Opis produktu

TI Chips INA818IDR INA818 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Szum, Niskie zużycie energii, Precyzyjny wzmacniacz instrumentalny


Funkcje
• Niskie napięcie offsetu: 10 µV (typ.), 35 µV (maks.)
• Dryft wzmocnienia: 5 ppm/°C (G = 1),
35 ppm/°C (G > 1) (maks.)
• Szum: 8 nV/√Hz
• Pasmo przenoszenia: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100)
• Stabilny przy obciążeniach pojemnościowych 1 nF
• Wejścia chronione do ±60 V
• Tłumienie sygnału współbieżnego: 110 dB, G = 10 (min)
• Tłumienie tętnień zasilania: 100 dB, G = 1 (min)
• Prąd zasilania: 385 µA (maks.)
• Zakres napięcia zasilania:
– Zasilanie pojedyncze: 4,5 V do 36 V
– Zasilanie podwójne: ±2,25 V do ±18 V
• Określona temperatura: –40°C do +125°C
• Obudowa: 8-pin SOIC

Aplikacje 
• Monitory przemysłowe
• Przemienniki przepływu
• Urządzenia do testowania baterii
• Monitory pacjenta z wieloma parametrami
• Analogowe moduły wejściowe
• Urządzenia do testowania półprzewodników
• Przenośna aparatura pomiarowa

Opis
INA818 to precyzyjny wzmacniacz instrumentalny
o niskim poborze mocy, działający w bardzo szerokim zakresie napięć pojedynczego lub podwójnego zasilania.
Pojedynczy zewnętrzny rezystor ustawia dowolne wzmocnienie
od 1 do 10000. Urządzenie zapewnia wysoką precyzję dzięki
tranzystorom wejściowym super-beta, które zapewniają
wyjątkowo niskie napięcie offsetu wejściowego, dryft napięcia offsetu,
prąd polaryzacji wejścia, napięcie wejściowe i szum prądowy.
Dodatkowe obwody chronią wejścia przed przepięciami do ±60 V.
INA818 jest zoptymalizowany pod kątem wysokiego współczynnika tłumienia sygnału współbieżnego.
Przy G = 1, współczynnik tłumienia sygnału współbieżnego przekracza 90 dB w całym zakresie napięć współbieżnych wejścia.
Urządzenie jest przeznaczone do pracy przy niskich napięciach z pojedynczego zasilania 4,5 V, a także z podwójnych zasilaczy do ±18 V.
INA818 jest dostępny w 8-pinowej obudowie SOIC 
i 
jest 
określony 
w 
zakresie temperatur –40°C do +125°C.

INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Wzmacniacz precyzyjny o niskim poborze mocy
INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Wzmacniacz precyzyjny o niskim poborze mocy

INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Wzmacniacz precyzyjny o niskim poborze mocy