logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Τσιπ TI
Created with Pixso.

INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Low Power Precision Instrumentation Amplifier

INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Low Power Precision Instrumentation Amplifier

Επωνυμία: TI Chips
Αριθμός μοντέλου: INA818IDR
MOQ: 2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Έγγραφο:
Όνομα προϊόντος:
Τσιπ TI
μοντέλο:
LM3150MHX/NOPB
Τύπος:
SMD/SMT
Εύρος ζώνης 3dB:
2 MHz
Επιτόκιο:
900 mV/us
Ρεύμα τροφοδοσίας λειτουργίας:
350 UA
Δυνατότητα προσφοράς:
1000000
Επισημαίνω:

INA818IDR TI Chips

,

INA818IDR Instrumentation Amplifier

,

Ενισχυτής Οργάνων Χαμηλής Ισχύος

Περιγραφή προϊόντος

Τσιπάκια TI INA818IDR INA818 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier (Αναπτυκτής οργάνων ακριβείας)


Χαρακτηριστικά
•Χαμηλή τάση εκτόξευσης: 10 μV (τύπος), 35 μV (μέγιστο)
•Κλίση κέρδους: 5 ppm/°C (G = 1),
35 ppm/°C (G > 1) (μέγιστο)
•Θόρυβος: 8 nV/√Hz
•Διάφραγμα ζώνης: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100)
•Σταθερό με χωρητικά φορτία 1-nF
•Προστατευόμενες εισόδους έως ± 60 V
•Απόρριψη κοινής λειτουργίας: 110 dB, G = 10 (min)
•Απορρίπτεται η τροφοδοσία ηλεκτρικής ενέργειας: 100 dB, G = 1 (min)
•Τρόπο τροφοδοσίας: 385 μA (μέγιστο)
•Πεδίο τάσης τροφοδοσίας:
∆ιαφορετική μονάδα: 4,5 V έως 36 V
Δύο τροφοδοσίες: ±2,25 V έως ±18 V
•Διορισμένη θερμοκρασία: ∼40°C έως +125°C
•Πακέτο: 8-pin SOIC

Εφαρμογές
•Τεχνικές οθόνες
•Μεταγωγείς ροής
•Εξοπλισμός δοκιμής μπαταρίας
•Παρακολούθηση ασθενών με πολλαπλές παραμέτρους
•Ανάλογες ενότητες εισόδου
•Εξοπλισμός δοκιμής ημιαγωγών
•Φορητές συσκευές

Περιγραφή
Το INA818 είναι ένα όργανο υψηλής ακρίβειας
ενισχυτής που προσφέρει χαμηλή κατανάλωση ενέργειας και
Το σύστημα αυτό λειτουργεί σε ένα πολύ ευρύ δίκτυο μονάδας τροφοδοσίας ή διπλής παροχής.
Μια μόνο εξωτερική αντίσταση ρυθμίζει οποιοδήποτε κέρδος
Η συσκευή προσφέρει υψηλή ακρίβεια
ένα αποτέλεσμα των υπερ-βήτα εισερχόμενων τρανζίστορ, τα οποία παρέχουν
εξαιρετικά χαμηλή τάση εισόδου, τάση εκκίνησης
μετατόπιση, ρεύμα παρεκκλίσεων εισόδου, τάση εισόδου και ρεύμα
Επιπλέον κυκλώματα προστατεύουν τις εισροές από
υπερτάσεις έως ± 60 V.
Το INA818 είναι βελτιστοποιημένο για να παρέχει υψηλή κοινή
Σε G = 1, το κοινό-mode
Η αναλογία απόρριψης υπερβαίνει τα 90 dB σε ολόκληρη την είσοδο
Η συσκευή έχει σχεδιαστεί για χαμηλή
λειτουργία τάσης από μονάδα τροφοδοσίας 4,5 V, καθώς και
ως διπλή τροφοδοσία έως ± 18 V.
Το INA818 διατίθεται σε συσκευασία SOIC 8 πινώνκαι
είναικαθορισμένηΤελειώσαμε.Το40°Cνα+125°Cεύρος θερμοκρασίας.

INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Low Power Precision Instrumentation Amplifier
INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Low Power Precision Instrumentation Amplifier

INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Noise Low Power Precision Instrumentation Amplifier