تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق تي آي

INA818IDR شرائح TI INA818 35 ميكروفولت إزاحة 8 نانوفولت/هرتز ضوضاء مضخم دقيق منخفض الطاقة

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

INA818IDR شرائح TI INA818 35 ميكروفولت إزاحة 8 نانوفولت/هرتز ضوضاء مضخم دقيق منخفض الطاقة

اسم العلامة التجارية:	TI Chips
رقم الموديل:	INA818IDR
موك:	2500
تفاصيل التغليف:	2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

اسم المنتج:

رقائق تي آي

نموذج:

LM3150MHX / NOPB

يكتب:

سمد/سمت

عرض النطاق الترددي 3DB:

2 ميجا هرتز

معدل الانحراف:

900 مللي فولت/لنا

تشغيل التيار الكهربائي:

350 uA

القدرة على العرض:

1000000

إبراز:

INA818IDR شرائح TI

INA818IDR مضخم دقيق

مضخم قياس منخفض الطاقة

وصف المنتج

رقائق TI INA818IDR INA818 35-μV Offset، 8-nV/√Hz الضوضاء، طاقة منخفضة، مكبر أجهزة الدقة

الخصائص

•الجهد المنخفض: 10 ميكرو فولت (النموذجي) ، 35 ميكرو فولت (أكثر)

•تحرك المكاسب: 5 ppm/°C (G = 1)

35 ppm/°C (G > 1) (ماكس)

•الضوضاء: 8 نيف/√ هرتز

•عرض النطاق: 2 ميغاهرتز (G = 1) ، 270 كيلو هرتز (G = 100)

•مستقرة مع الأحمال السعة 1-nF

•مدخلات محمية حتى 60 فولت

•رفض الوضع المشترك: 110 ديسيبل، G = 10 (دقيقة)

•رفض إمدادات الطاقة: 100 ديسيبل، G = 1 (دقيقة)

•تيار التغذية: 385 μA (على الأكثر)

•نطاق فولتاج التغذية:

إمدادات واحدة: 4.5 فولت إلى 36 فولت

إمدادات مزدوجة: ±2.25 فولت إلى ±18 فولت

•درجة الحرارة المحددة: من 40 درجة مئوية إلى 125 درجة مئوية

•حزمة: 8-pin SOIC

التطبيقات

•شاشات صناعية

•أجهزة نقل التدفق

•معدات اختبار البطارية

•أجهزة مراقبة المرضى متعددة المعايير

•وحدات الدخول التناظرية

•معدات اختبار أشباه الموصلات

•أجهزة أجهزة محمولة

الوصف

الـ INA818 هي أداة عالية الدقة

مكبر يقدم استهلاك طاقة منخفض

تعمل على نطاق واسع جدا من التوريد الواحد أو مزدوج

نطاق التغذية. المقاومة الخارجية واحدة يحدد أي مكاسب

من 1 إلى 10000. يقدم الجهاز دقة عالية

نتيجة لترانزستورات الدخول فائقة البيتا، والتي توفر

الجهد المضطرب منخفض بشكل استثنائي، الجهد المضطرب

الانجراف، التيار التحيز المدخل، الجهد المدخل، والتيار

الضوضاء. الدوائر الإضافية تحمي المدخلات من

الجهد المفرط يصل إلى ± 60 فولت.

تم تحسين INA818 لتوفير

معدل رفض الوضع عند G = 1،

نسبة الرفض تتجاوز 90 ديسيبل عبر الإدخال الكامل

الجهاز مصمم لخفض

تشغيل الجهد من مصدر طاقة واحد من 4.5 فولت، وكذلك

كإمدادات مزدوجة تصل إلى ± 18 فولت.

الـ INA818 متوفر في حزمة SOIC ذات 8 أقواسو

هومحددةإنتهىالـ40 درجة مئويةإلى+ 125 درجة مئويةنطاق الحرارة

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

INA818IDR شرائح TI INA818 35 ميكروفولت إزاحة 8 نانوفولت/هرتز ضوضاء مضخم دقيق منخفض الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي