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INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Rauschen Geringer Stromverbrauch Präzisions-Operationsverstärker

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INA818IDR TI Chips INA818 35-μV Offset 8-nV/√Hz Rauschen Geringer Stromverbrauch Präzisions-Operationsverstärker

Markenname:	TI Chips
Modellnummer:	INA818IDR
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Produktname:

TI-Chips

Modell:

LM3150MHX/NOPB

SMD/SMT

3 dB Bandbreite:

2 MHz

Schwindelrate:

900 mV/us

Betriebsstrom der Stromversorgung:

350 MA

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000000

Hervorheben:

INA818IDR TI Chips

INA818IDR Operationsverstärker

Verstärker für Geräte mit geringer Leistung

Produktbeschreibung

TI Chips INA818IDR INA818 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Rauschen, energiesparender Präzisions-Messverstärker

Merkmale

• Geringe Offsetspannung: 10 µV (typisch), 35 µV (maximal)

• Gain-Drift: 5 ppm/°C (G = 1),

35 ppm/°C (G > 1) (maximal)

• Rauschen: 8 nV/√Hz

• Bandbreite: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100)

• Stabil mit 1-nF kapazitiven Lasten

• Eingänge bis ±60 V geschützt

• Gleichtaktunterdrückung: 110 dB, G = 10 (minimal)

• Spannungsunterdrückung: 100 dB, G = 1 (minimal)

• Versorgungsstrom: 385 µA (maximal)

• Versorgungsspannungsbereich:

– Einzelversorgung: 4,5 V bis 36 V

– Zweifachversorgung: ±2,25 V bis ±18 V

• Spezifizierter Temperaturbereich: –40°C bis +125°C

• Gehäuse: 8-Pin SOIC

Anwendungen

• Industrielle Überwachung

• Durchflussmessumformer

• Batterietestgeräte

• Multiparameter-Patientenmonitore

• Analoge Eingangsmodule

• Halbleiter-Testgeräte

• Tragbare Instrumentierung

Beschreibung

Der INA818 ist ein hochpräziser Messverstärker

mit geringem Stromverbrauch, der über einen sehr breiten Bereich mit Einzel- oder Doppelversorgung

betrieben werden kann. Ein einzelner externer Widerstand stellt jeden Gain

von 1 bis 10000 ein. Das Gerät bietet hohe Präzision aufgrund von Super-Beta-Eingangstransistoren, die

eine außergewöhnlich niedrige Eingangs-Offsetspannung, Offsetspannungsdrift, Eingangsbiasstrom, Eingangsspannung und Stromrauschen aufweisen. Zusätzliche Schaltungen schützen die Eingänge vor Überspannung bis zu ±60 V.

Der INA818 ist optimiert, um ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis zu bieten. Bei G = 1 übersteigt das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis 90 dB über den gesamten Gleichtakt-Eingangsbereich. Das Gerät ist für den Betrieb mit niedriger Spannung von einer 4,5-V-Einzelversorgung sowie mit Doppelversorgungen bis zu ±18 V ausgelegt.

Der INA818 ist in einem 8-Pin-SOIC-Gehäuse erhältlich

und

ist

spezifiziert

für

den

Temperaturbereich

von

–40°C

bis

+125°C Temperaturbereich.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

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SAMSUNG IC Chips

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SEOUL LED Chip

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