Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

INA818IDR TI Чипы INA818 35 мкВ смещения 8 нВ/√Гц шума Прецизионный инструментальный усилитель с низким энергопотреблением

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

INA818IDR TI Чипы INA818 35 мкВ смещения 8 нВ/√Гц шума Прецизионный инструментальный усилитель с низким энергопотреблением

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	INA818IDR
минимальный заказ:	2500
Детали упаковки:	2500 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

чипы TI

модель:

LM3150MHX/NOPB

СМД/СМТ

Полоса пропускания 3 дБ:

2 МГц

Степень скорости:

900 мВ/мкс

Рабочий ток источника питания:

350 uA

Поставка способности:

1000000

Выделить:

INA818IDR TI Чипы

INA818IDR Инструментальный усилитель

Маломощный инструментальный усилитель

Описание продукта

TI чипы INA818IDR INA818 35-μV Оффсет, 8-нВ/√Гц Шум, низкая мощность, усилитель высокоточных приборов

Особенности

•Низкое смещение напряжения: 10 μV (типичное), 35 μV (максимальное)

•Дрейф прироста: 5 ppm/°C (G = 1),

35 ppm/°C (G > 1) (макс.)

•Шум: 8 нВ/√Гц

•Пропускная способность: 2 МГц (G = 1), 270 кГц (G = 100)

•Стабильный при емкостных нагрузках 1-nF

•Входы защищены до ± 60 В

•Отторжение общего режима: 110 дБ, G = 10 (мин)

•Отторжение питания: 100 дБ, G = 1 (мин)

•Ток питания: 385 μA (максимум)

•Диапазон питания:

Одноразовое питание: от 4,5 до 36 В

Двойная подача: от ±2,25 до ±18 В

•Указанная температура: от 40°C до +125°C

•Пакет: 8-прикольный SOIC

Заявления

•Промышленные мониторы

•Передатчики потока

•Оборудование для испытаний батарей

•Многопараметрические устройства мониторинга пациентов

•Аналоговые модули ввода

•Оборудование для испытаний полупроводников

•Портативные приборы

Описание

INA818 - это высокоточная приборотехника.

Усилитель, который предлагает низкое потребление энергии и

Работает на очень широком пропускном способе с одним или двумя источниками.

Один внешний резистор устанавливает любой прирост

Устройство обеспечивает высокую точность:

в результате супер-бета входных транзисторов, которые обеспечивают

исключительно низкое входное смещение напряжения, смещение напряжения

дрейф, входный отклонение тока, входного напряжения и тока

Дополнительная схема защищает входы от

перенапряжение до ± 60 В.

INA818 оптимизирован для обеспечения высокого общего

При G = 1, общий режим

соотношение отторжения превышает 90 дБ на всей входной точке

Устройство предназначено для низко-

работа на напряжении от одного источника питания 4,5-В, а также

как двойные источники питания до ± 18 В.

INA818 доступен в 8-контактном пакете SOICи

этоуказаноПокончено.- Да.40°Сдо+125°Стемпературный диапазон.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

INA818IDR TI Чипы INA818 35 мкВ смещения 8 нВ/√Гц шума Прецизионный инструментальный усилитель с низким энергопотреблением

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI