รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

TLV8812DGKR TI ชิป TLV8811 TLV8812 425 nA Precision Nanopower Op Amps สำหรับระบบที่ปรับให้เหมาะสมกับต้นทุน

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

TLV8812DGKR TI ชิป TLV8811 TLV8812 425 nA Precision Nanopower Op Amps สำหรับระบบที่ปรับให้เหมาะสมกับต้นทุน

ชื่อแบรนด์:	TI chips
หมายเลขรุ่น:	TLV8812DGKR
ขั้นต่ำ:	2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

TLV8812DGKR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

การห่อหุ้ม:

กระแสไฟในการทำงาน:

425 นาโนเอ

อัตราการฆ่า:

1.5 V/เรา

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

TLV8812DGKR

TLV8812 TI ชิป

425nA Op Amps

รายละเอียดสินค้า

ชิป TI TLV8812DGKR TLV8811,TLV8812 425 nA แอมเปอร์ Op Nanopower ความแม่นยําสําหรับระบบที่ประหยัด

ลักษณะ

•สําหรับระบบที่ประหยัดดีที่สุด

•กระแสไฟฟ้านาโน: 425 nA/ช่อง

•ความดันออฟเซต: 500 μV (สูงสุด)

•TcVos: 1 μV/°C

•ความกว้างแบนด์เวย์: 6 kHz

•ความ มิตรภาพ - ได้ รับ ความ มั่นคง

•ปัจจุบันความคัดค้านการเข้าต่ํา: 100 fA

•ระยะไฟฟ้าที่กว้าง: 1.7V ถึง 5.5V

•ผลิตจากรถไฟไปสู่รถไฟ

•ไม่มีการเปลี่ยนผลิต

•การคุ้มครอง EMI

•ระยะอุณหภูมิ: 40 °C ถึง 125 °C

•แพ็คเกจมาตรฐานของอุตสาหกรรม:

ราคา 1 ใน 5 ปิน SOT-23

✅ VSSOP 8 ปินแบบคู่

การใช้งาน

•เครื่องตรวจจับก๊าซ (CO และ O)2)

•เครื่องตรวจจับการเคลื่อนไหว PIR

•การตรวจจับปัจจุบัน

•เครื่องควบคุมอุณหภูมิ

•IoT (อินเตอร์เน็ตของสิ่งของ) เครื่องตรวจจับระยะไกล

•เครื่องอ่าน RFID และแท็กที่ทํางาน

•อุปกรณ์การแพทย์พกพา

•เครื่องตรวจจับน้ําตาลในเลือดแบบพกพา

คําอธิบาย

ครอบครัว TLV8811 (เดียว) และ TLV8812 (สอง)

เครื่องเสริมเสียงการทํางานความแม่นยําขนาดต่ํามาก

สมบูรณ์แบบสําหรับค่าใช้จ่ายดีที่สุดเสมอONการตรวจจับ

แอปพลิเคชั่นในระบบไร้สายที่ใช้พลังงานแบตเตอรี่และต่ํา

อุปกรณ์ที่มีสายไฟฟ้า มีความกว้างแบนด์วิท 6 kHz

จาก 425 nA ของปัจจุบันที่พักผ่อนและปัจจุบัน

สับสนความกระชับถึงใต้500μVรายการTLV881x

เครื่องขยายเสียงให้ความแม่นยําสูงในขณะที่ลด

การบริโภคพลังงานในอุปกรณ์ เช่น ก๊าซ CO

เครื่องตรวจจับและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พกพา

การใช้งานของแบตเตอรี่เป็นสิ่งสําคัญ

CMOSinputระยะทําให้fempto-ampความคัดค้าน

ค่าไฟฟ้าBIASและฉันระบบทํางานความผิดพลาดที่

จะมีผลกระทบต่ออัมพาตแหล่งสูง

การตรวจจับการใช้งานนอกจากนี้สร้างEMI

การป้องกันลดความรู้สึกต่อสัญญาณ RF ที่ไม่ต้องการ

จากโทรศัพท์มือถือ, WiFi, เครื่องส่งวิทยุ, และ tagผู้อ่าน

ช่องทาง TLV8811 (เดียว) และ TLV8812 (สอง)

รูปแบบมีให้เลือกในอุตสาหกรรมมาตรฐาน 5-pin SOT-

แพ็คเกจ VSSOP 23 และ 8 ปิน ตามลําดับ

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

TLV8812DGKR TI ชิป TLV8811 TLV8812 425 nA Precision Nanopower Op Amps สำหรับระบบที่ปรับให้เหมาะสมกับต้นทุน

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI