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TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Präzisions-Nanopower-Operationsverstärker für kostengünstige Systeme

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TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Präzisions-Nanopower-Operationsverstärker für kostengünstige Systeme

Markenname:	TI chips
Modellnummer:	TLV8812DGKR
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Modell:

TLV8812DGKR

Produktname:

TI-Chips

SMD/SMT

Verkapselung:

Spule

Betriebsstrom der Stromversorgung:

425 nA

Schwindelrate:

1,5 V/us

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000000

Hervorheben:

TLV8812DGKR

TLV8812 TI Chips

425nA Operationsverstärker

Produktbeschreibung

TI-Chips TLV8811, TLV8812 Präzisions-Nanopower-Operationsverstärker mit 425 nA für kostenoptimierte Systeme

Merkmale

• Für kostenoptimierte Systeme

• Nanopower-Versorgungsstrom: 425 nA/Kanal

• Offset-Spannung: 500 µV (max)

• TcVos: 1 µV/°C

• Verstärkungs-Bandbreite: 6 kHz

• Einheitsverstärkung stabil

• Geringer Eingangs-Bias-Strom: 100 fA

• Breiter Versorgungsbereich: 1,7 V bis 5,5 V

• Rail-to-Rail-Ausgang

• Keine Ausgangsumkehrungen

• EMI-Schutz

• Temperaturbereich: –40°C bis 125°C

• Industriestandard-Gehäuse:

– Einzeln im 5-Pin-SOT-23

– Dual im 8-Pin-VSSOP

Anwendungen

• Gasdetektoren (CO und O2 )

• PIR-Bewegungsmelder

• Strommessung

• Thermostate

• IoT (Internet der Dinge) Fernsensoren

• Aktive RFID-Lesegeräte und -Tags

• Tragbare medizinische Geräte

• Tragbare Glukosemessgeräte

Beschreibung

Die TLV8811 (Single) und TLV8812 (Dual) Familie von

Präzisions-Operationsverstärkern mit extrem niedrigem Stromverbrauch ist

ideal für kostenoptimierte, „Always ON“ Sensoranwendungen in batteriebetriebenen drahtlosen und stromsparenden kabelgebundenen Geräten. Mit einer Bandbreite von 6 kHz bei einem Ruhestrom von 425 nA und einer getrimmten

Offset-Spannung

von

weniger

als 500 µV bieten die TLV881x Verstärker hohe Präzision bei gleichzeitiger Minimierung des Stromverbrauchs in Geräten wie CO-Gasdetektoren und tragbaren elektronischen Geräten, bei denen die Batterielebensdauer entscheidend ist. Sie verfügen außerdem über eine CMOS-Eingangsstufe, die Femto-Ampere-Bias-Ströme ermöglicht und dadurch IBIAS

und I

Fehler reduziert, die andernfalls Hochimpedanz-Sensoranwendungen beeinträchtigen würden.

Zusätzlich

reduziert der eingebaute EMI-Schutz die Empfindlichkeit gegenüber unerwünschten HF-Signalen von Mobiltelefonen, WLAN, Funksendern und Tag-Lesegeräten.

Die TLV8811 (Single) und TLV8812 (Dual) Kanalversionen sind in den branchenüblichen Gehäusen 5-Pin-SOT-23 bzw. 8-Pin-VSSOP erhältlich.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

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LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

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LumiLEDs LED-Chip

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SEOUL LED Chip

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TSLC Semileds LED Lamp Beads

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TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Präzisions-Nanopower-Operationsverstärker für kostengünstige Systeme

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