Name: TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 Amplificadores Operacionais de Nanopower de Precisão de 425 nA para Sistemas Otimizados de Custo
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: TLV8812DGKR
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	TI chips
Número do modelo:	TLV8812DGKR
Quantidade mínima:	2500
Detalhes da embalagem:	2500 unidades/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

tlv8811.pdf

modelo:

TLV8812DGKR

Nome do produto:

Chips de TI

Tipo:

SMD/SMT

Encapsulamento:

Carretel

Corrente operacional da fonte de alimentação:

425 nA

Taxa de giro:

1,5 V/us

Habilidade da fonte:

1.000.000

Destacar:

TLV8812DGKR

TLV8812 TI Chips

Amplificadores Operacionais de 425nA

Descrição do produto

Chips TI TLV8811,TLV8812 Amplificadores Operacionais de Nanopotência de Precisão de 425 nA para Sistemas Otimizados de Custo

Recursos

• Para Sistemas Otimizados de Custo

• Corrente de Alimentação de Nanopotência: 425 nA/canal

• Tensão de Offset: 500 µV (máx)

• TcVos: 1 µV/°C

• Ganho-Largura de Banda: 6 kHz

• Estável com Ganho Unitário

• Baixa Corrente de Polarização de Entrada: 100 fA

• Ampla Faixa de Alimentação: 1,7 V a 5,5 V

• Saída Rail-to-Rail

• Sem Reversões de Saída

• Proteção EMI

• Faixa de Temperatura: –40°C a 125°C

• Pacotes Padrão da Indústria:

– Simples em SOT-23 de 5 pinos

– Duplo em VSSOP de 8 pinos

Aplicações

• Detectores de Gás (CO e O2 )

• Detectores de Movimento PIR

• Detecção de Corrente

• Termostatos

• IoT (Internet das Coisas) Sensores Remotos

• Leitores e Tags RFID Ativos

• Equipamentos Médicos Portáteis

• Monitores de Glicose Portáteis

Descrição

A família de amplificadores operacionais de precisão e ultra-baixa potência TLV8811 (simples) e TLV8812 (duplo) é ideal para aplicações de detecção "Sempre Ligado" otimizadas para custo em equipamentos sem fio alimentados por bateria e equipamentos com fio de baixa potência. Com 6 kHz de largura de banda a partir de 425 nA de corrente quiescente e uma tensão de offset ajustada para menos de 500 µV, os amplificadores TLV881x fornecem alta precisão, minimizando o consumo de energia em equipamentos como detectores de gás CO e dispositivos eletrônicos portáteis onde a vida útil da bateria operacional é crítica. Eles também possuem um estágio de entrada CMOS, permitindo correntes de polarização de femto-ampere, reduzindo assim os erros de I

BIAS

e IOS que, de outra forma, afetariam aplicações de detecção com impedância de fonte alta. Além disso, a proteção EMI integrada reduz a sensibilidade a sinais de RF indesejados de telefones celulares, WiFi, transmissores de rádio e leitores de tags. As versões de canal simples (TLV8811) e duplo (TLV8812) estão disponíveis nos pacotes padrão da indústria SOT-23 de 5 pinos e VSSOP de 8 pinos, respectivamente.

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

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Chip Infineon

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Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

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NeXperia Chips

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Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

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NeXperia Chips

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Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 Amplificadores Operacionais de Nanopower de Precisão de 425 nA para Sistemas Otimizados de Custo

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

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