logo
Goede prijs  Online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
TI-chips
Created with Pixso.

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precisie Nanopower Op Amps voor Kostengeoptimaliseerde Systemen

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precisie Nanopower Op Amps voor Kostengeoptimaliseerde Systemen

Merknaam: TI chips
Modelnummer: TLV8812DGKR
MOQ: 2500
Verpakkingsdetails: 2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
Document:
model:
TLV8812DGKR
Productnaam:
TI-chips
Type:
SMD/SMT
Inkapseling:
Haspel
Bedrijfsvoedingsstroom:
425 nA
Slew -tarief:
1.5 V/us
Levering vermogen:
1000000
Markeren:

TLV8812DGKR

,

TLV8812 TI Chips

,

425nA Op Amps

Productbeschrijving

TI chips TLV8812DGKR TLV8811,TLV8812 425 nA Precision Nanopower Op Amps voor Kosten-Geoptimaliseerde Systemen


Functies
• Voor Kosten-Geoptimaliseerde Systemen
• Nanopower Voedingsstroom: 425 nA/kanaal
• Offsetspanning: 500 µV (max)
• TcVos: 1 µV/°C
• Bandbreedte: 6 kHz
• Unity-Gain Stabiel
• Lage Ingangsbiasstroom: 100 fA
• Breed Voedingsbereik: 1,7 V tot 5,5 V
• Rail-to-Rail Uitgang
• Geen Uitgangsomkeringen
• EMI-bescherming
• Temperatuurbereik: –40°C tot 125°C
• Industriestandaard Pakketten:
– Enkel in 5-pins SOT-23
– Dubbel in 8-pins VSSOP

Toepassingen 
• Gasdetectoren (CO en O2 )
• PIR Bewegingsdetectoren
• Stroommeting
• Thermostaten 
• IoT (Internet of Things) Sensoren op Afstand
• Actieve RFID Lezers en Tags
• Draagbare Medische Apparatuur
• Draagbare Glucosemeters

Beschrijving
De TLV8811 (enkel) en TLV8812 (dubbel) familie van
precisie ultra-lage-vermogen operationele versterkers zijn
ideaal voor kosten-geoptimaliseerde, "Altijd AAN" detectie
toepassingen in batterijgevoede draadloze en lage
vermogen bedrade apparatuur. Met 6 kHz bandbreedte
van 425 nA ruststroom en een getrimde
offsetspanning tot minder dan 500µV, bieden de TLV881x versterkers hoge precisie terwijl het
stroomverbruik wordt geminimaliseerd in apparatuur zoals CO-gas
detectoren en draagbare elektronische apparaten waar
de operationele batterijduur cruciaal is. Ze hebben ook een
CMOS 
ingangsstadium waardoor fempto-amp biasstromen mogelijk zijn, waardoor IBIAS
en IOS fouten worden verminderd die anders de detectie
toepassingen met hoge bronimpedantie zouden beïnvloeden. 
Bovendien vermindert ingebouwde EMI bescherming de gevoeligheid voor ongewenste RF-signalen
van mobiele telefoons, WiFi, radiozenders en tag 
lezers. De TLV8811 (enkel) en TLV8812 (dubbel) kanaal
versies zijn verkrijgbaar in industriestandaard 5-pins SOT-
23 en 8-pins VSSOP pakketten respectievelijk

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precisie Nanopower Op Amps voor Kostengeoptimaliseerde Systemen

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precisie Nanopower Op Amps voor Kostengeoptimaliseerde Systemen

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precisie Nanopower Op Amps voor Kostengeoptimaliseerde Systemen
TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precisie Nanopower Op Amps voor Kostengeoptimaliseerde Systemen