logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chipsy TI
Created with Pixso.

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precyzyjne wzmacniacze operacyjne Nanopower dla zoptymalizowanych kosztowo systemów

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precyzyjne wzmacniacze operacyjne Nanopower dla zoptymalizowanych kosztowo systemów

Nazwa marki: TI chips
Numer modelu: TLV8812DGKR
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Dokument:
model:
TLV8812DGKR
Nazwa produktu:
Chipsy TI
Typ:
SMD/SMT
Hermetyzacja:
Rolka
Roboczy prąd zasilania:
425 nA
Szybkość narastania:
1,5 V/us
Możliwość Supply:
1000000
Podkreślić:

TLV8812DGKR

,

TLV8812 TI Chips

,

Wzmacniacze operacyjne 425nA

Opis produktu

Układy TI TLV8811DGKR TLV8811,TLV8812 Precyzyjne wzmacniacze operacyjne Nanopower 425 nA do zoptymalizowanych kosztowo systemów


Funkcje
• Do zoptymalizowanych kosztowo systemów
• Prąd zasilania Nanopower: 425 nA/kanał
• Napięcie offsetu: 500 µV (maks.)
• TcVos: 1 µV/°C
• Wzmocnienie-pasmo: 6 kHz
• Stabilny przy wzmocnieniu jednostkowym
• Niski prąd wejściowy polaryzacji: 100 fA
• Szeroki zakres napięć zasilania: 1,7 V do 5,5 V
• Wyjście od szyny do szyny
• Brak odwrócenia wyjścia
• Ochrona przed EMI
• Zakres temperatur: –40°C do 125°C
• Standardowe w branży obudowy:
– Pojedynczy w obudowie SOT-23 5-pinowej
– Podwójny w obudowie VSSOP 8-pinowej

Zastosowania 
• Detektory gazu (CO i O2 )
• Czujniki ruchu PIR
• Pomiar prądu
• Termostaty 
• Zdalne czujniki IoT (Internet Rzeczy)
• Aktywne czytniki i tagi RFID
• Przenośny sprzęt medyczny
• Przenośne glukometry

Opis
Rodzina precyzyjnych wzmacniaczy operacyjnych o ultra-niskim poborze mocy TLV8811 (pojedynczy) i TLV8812 (podwójny) jest idealna do zoptymalizowanych kosztowo, "zawsze włączonych" aplikacji czujnikowych w zasilanych bateryjnie urządzeniach bezprzewodowych i przewodowych o niskim poborze mocy. Dzięki pasmu 6 kHz przy prądzie spoczynkowym 425 nA i napięciu offsetu przyciętym do poniżej 500 µV, wzmacniacze TLV881x zapewniają wysoką precyzję przy minimalizacji zużycia energii w urządzeniach takich jak detektory gazu CO i przenośne urządzenia elektroniczne, gdzie krytyczna jest żywotność baterii. Posiadają również stopień wejściowy CMOS, umożliwiający prądy polaryzacji rzędu femtoamperów, co zmniejsza błędy I
BIAS
i IOS , które w przeciwnym razie wpłynęłyby na aplikacje czujnikowe o wysokiej impedancji źródła. Dodatkowo, wbudowana ochrona przed EMI zmniejsza wrażliwość na niepożądane sygnały RF z telefonów komórkowych, Wi-Fi, nadajników radiowych i czytników tagów. Wersje TLV8811 (pojedynczy) i TLV8812 (podwójny) są dostępne w standardowych obudowach SOT-23 5-pinowej i VSSOP 8-pinowej odpowiednio.

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precyzyjne wzmacniacze operacyjne Nanopower dla zoptymalizowanych kosztowo systemów

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precyzyjne wzmacniacze operacyjne Nanopower dla zoptymalizowanych kosztowo systemów

TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precyzyjne wzmacniacze operacyjne Nanopower dla zoptymalizowanych kosztowo systemów
TLV8812DGKR TI Chips TLV8811 TLV8812 425 nA Precyzyjne wzmacniacze operacyjne Nanopower dla zoptymalizowanych kosztowo systemów