Układy TI TLV8811DGKR TLV8811,TLV8812 Precyzyjne wzmacniacze operacyjne Nanopower 425 nA do zoptymalizowanych kosztowo systemów
Funkcje
• Do zoptymalizowanych kosztowo systemów
• Prąd zasilania Nanopower: 425 nA/kanał
• Napięcie offsetu: 500 µV (maks.)
• TcVos: 1 µV/°C
• Wzmocnienie-pasmo: 6 kHz
• Stabilny przy wzmocnieniu jednostkowym
• Niski prąd wejściowy polaryzacji: 100 fA
• Szeroki zakres napięć zasilania: 1,7 V do 5,5 V
• Wyjście od szyny do szyny
• Brak odwrócenia wyjścia
• Ochrona przed EMI
• Zakres temperatur: –40°C do 125°C
• Standardowe w branży obudowy:
– Pojedynczy w obudowie SOT-23 5-pinowej
– Podwójny w obudowie VSSOP 8-pinowej
Zastosowania
• Detektory gazu (CO i O2 )
• Czujniki ruchu PIR
• Pomiar prądu
• Termostaty
• Zdalne czujniki IoT (Internet Rzeczy)
• Aktywne czytniki i tagi RFID
• Przenośny sprzęt medyczny
• Przenośne glukometry
Opis
Rodzina precyzyjnych wzmacniaczy operacyjnych o ultra-niskim poborze mocy TLV8811 (pojedynczy) i TLV8812 (podwójny) jest idealna do zoptymalizowanych kosztowo, "zawsze włączonych" aplikacji czujnikowych w zasilanych bateryjnie urządzeniach bezprzewodowych i przewodowych o niskim poborze mocy. Dzięki pasmu 6 kHz przy prądzie spoczynkowym 425 nA i napięciu offsetu przyciętym do poniżej 500 µV, wzmacniacze TLV881x zapewniają wysoką precyzję przy minimalizacji zużycia energii w urządzeniach takich jak detektory gazu CO i przenośne urządzenia elektroniczne, gdzie krytyczna jest żywotność baterii. Posiadają również stopień wejściowy CMOS, umożliwiający prądy polaryzacji rzędu femtoamperów, co zmniejsza błędy I
BIAS
i IOS , które w przeciwnym razie wpłynęłyby na aplikacje czujnikowe o wysokiej impedancji źródła. Dodatkowo, wbudowana ochrona przed EMI zmniejsza wrażliwość na niepożądane sygnały RF z telefonów komórkowych, Wi-Fi, nadajników radiowych i czytników tagów. Wersje TLV8811 (pojedynczy) i TLV8812 (podwójny) są dostępne w standardowych obudowach SOT-23 5-pinowej i VSSOP 8-pinowej odpowiednio.