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TLV8812DGKR TI 칩 TLV8811 TLV8812 425 nA 비용 최적화 시스템을 위한 정밀 나노 파워 옵 앰프

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TLV8812DGKR TI 칩 TLV8811 TLV8812 425 nA 비용 최적화 시스템을 위한 정밀 나노 파워 옵 앰프

브랜드 이름:	TI chips
모델 번호:	TLV8812DGKR
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

TLV8812DGKR

SMD/SMT

작동 전원 전류:

425nA

슬림 속도:

1.5 V/us

공급 능력:

1000000

강조하다:

TLV8812DGKR

TLV8812 TI 칩

425nA 오프 앰프

제품 설명

TI 칩 TLV8812DGKR TLV8811,TLV8812 425 nA 정밀 나노파워 연산 증폭기 (비용 최적화 시스템용)

기능

• 비용 최적화 시스템용

• 나노파워 공급 전류: 채널당 425 nA

• 오프셋 전압: 최대 500 µV

• TcVos: 1 µV/°C

• 이득 대역폭: 6 kHz

• 단일 이득 안정화

• 낮은 입력 바이어스 전류: 100 fA

• 넓은 공급 범위: 1.7 V ~ 5.5 V

• 레일 투 레일 출력

• 출력 역전 없음

• EMI 보호

• 온도 범위: –40°C ~ 125°C

• 산업 표준 패키지:

– 단일 채널 5핀 SOT-23

– 듀얼 채널 8핀 VSSOP

응용 분야

• 가스 감지기 (CO 및 O2 )

• PIR 동작 감지기

• 전류 감지

• 온도 조절기

• IoT (사물 인터넷) 원격 센서

• 능동 RFID 리더 및 태그

• 휴대용 의료 장비

• 휴대용 혈당 측정기

설명

TLV8811 (단일 채널) 및 TLV8812 (듀얼 채널) 계열의

정밀 초저전력 연산 증폭기는 배터리 구동 무선 및 저전력 유선 장비의

비용 최적화된, "항상 켜짐" 센싱 응용 분야에 이상적입니다. 6 kHz의 대역폭과 425 nA의 대기 전류, 그리고 500 µV 미만의 트리밍된 오프셋

전압을

갖춘

TLV881x

증폭기는 전력 소비를 최소화하면서 높은 정밀도를 제공하여 CO 가스 감지기 및 운영 배터리 수명이 중요한 휴대용 전자 장치와 같은 장비에 적합합니다. 또한 CMOS 입력 단계를 갖추고 있어 펨토암페어 바이어스 전류를

가능하게 하므로, 고 임피던스 소스 센싱

응용 분야에 영향을 미칠 수 있는 I

BIAS

및 I

OS 오차를 줄여줍니다. 추가적으로, 내장된 EMI 보호 기능은 휴대폰, WiFi, 라디오 송신기 및 태그

리더의 원치 않는 RF 신호에 대한 민감도를 줄여줍니다. TLV8811 (단일 채널) 및 TLV8812 (듀얼 채널) 버전은 각각 산업 표준 5핀 SOT- 23 및 8핀 VSSOP 패키지로 제공됩니다.

태그:

오스람 LED 칩

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TLV8812DGKR TI 칩 TLV8811 TLV8812 425 nA 비용 최적화 시스템을 위한 정밀 나노 파워 옵 앰프

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