logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقائق تي آي
Created with Pixso.

TLV8812DGKR TI رقائق TLV8811 TLV8812 425 نانو أمبير مضخمات عمليات دقيقة للطاقة النانوية للأنظمة المحسنة من حيث التكلفة

TLV8812DGKR TI رقائق TLV8811 TLV8812 425 نانو أمبير مضخمات عمليات دقيقة للطاقة النانوية للأنظمة المحسنة من حيث التكلفة

اسم العلامة التجارية: TI chips
رقم الموديل: TLV8812DGKR
موك: 2500
تفاصيل التغليف: 2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
وثيقة:
نموذج:
TLV8812DGKR
اسم المنتج:
رقائق تي آي
يكتب:
سمد/سمت
التغليف:
بكرة
تشغيل التيار الكهربائي:
425 غ
معدل الانحراف:
1.5 فولت / لنا
القدرة على العرض:
1000000
إبراز:

TLV8812DGKR

,

TLV8812 TI رقائق

,

425 نانو أمبير مضخمات عمليات

وصف المنتج

رقائق TI TLV8811,TLV8812 مضخمات عملياتية دقيقة فائقة الطاقة لأنظمة محسّنة التكلفة


الميزات
• للأنظمة محسّنة التكلفة
• تيار إمداد فائق الطاقة: 425 نانو أمبير/قناة
• جهد الإزاحة: 500 ميكروفولت (كحد أقصى)
• TcVos: 1 ميكروفولت/درجة مئوية
• عرض النطاق الترددي للكسب: 6 كيلو هرتز
• مستقر لكسب الوحدة
• تيار إدخال منخفض: 100 فمبتو أمبير
• نطاق إمداد واسع: 1.7 فولت إلى 5.5 فولت
• خرج من السكك الحديدية إلى السكك الحديدية
• لا توجد انعكاسات للإخراج
• حماية من التداخل الكهرومغناطيسي
• نطاق درجة الحرارة: -40 درجة مئوية إلى 125 درجة مئوية
• حزم قياسية صناعية:
– فردي في SOT-23 بخمسة أطراف
– مزدوج في VSSOP بثمانية أطراف

التطبيقات 
• كاشفات الغاز (CO و O2 )
• كاشفات حركة PIR
• استشعار التيار
• منظمات الحرارة 
• إنترنت الأشياء (إنترنت الأشياء) أجهزة استشعار عن بعد
• قراء وعلامات RFID النشطة
• معدات طبية محمولة
• أجهزة مراقبة الجلوكوز المحمولة

الوصف
عائلة TLV8811 (فردي) و TLV8812 (مزدوج) من
المضخمات التشغيلية الدقيقة فائقة الطاقة
مثالية للتطبيقات محسّنة التكلفة، "تعمل دائمًا" للاستشعار في الأجهزة اللاسلكية التي تعمل بالبطارية والأجهزة السلكية منخفضة الطاقة. مع عرض نطاق ترددي يبلغ 6 كيلو هرتز
من تيار هادئ يبلغ 425 نانو أمبير وجهد إزاحة مقلم
إلى 
أقل 
من 500 ميكروفولت، توفر مضخمات TLV881x دقة عالية مع تقليل استهلاك الطاقة في معدات مثل كاشفات غاز CO والأجهزة الإلكترونية المحمولة حيث تكون عمر البطارية التشغيلي أمرًا بالغ الأهمية. كما أنها تحتوي على مرحلة إدخال CMOS مما يتيح تيارات انحياز فيمتو أمبير، مما يقلل من أخطاء IBIAS و I
OS
التي من شأنها أن تؤثر بخلاف ذلك على تطبيقات الاستشعار ذات المعاوقة العالية للمصدر. 
بالإضافة إلى ذلك، تقلل الحماية المدمجة من التداخل الكهرومغناطيسي من الحساسية للإشارات اللاسلكية غير المرغوب فيها من الهواتف المحمولة، و WiFi، وأجهزة الإرسال اللاسلكي، وقراء العلامات.
تتوفر إصدارات TLV8811 (فردي) و TLV8812 (مزدوج) في حزم SOT-23 بخمسة أطراف و VSSOP بثمانية أطراف قياسية صناعية على التوالي.

TLV8812DGKR TI رقائق TLV8811 TLV8812 425 نانو أمبير مضخمات عمليات دقيقة للطاقة النانوية للأنظمة المحسنة من حيث التكلفة

TLV8812DGKR TI رقائق TLV8811 TLV8812 425 نانو أمبير مضخمات عمليات دقيقة للطاقة النانوية للأنظمة المحسنة من حيث التكلفة

TLV8812DGKR TI رقائق TLV8811 TLV8812 425 نانو أمبير مضخمات عمليات دقيقة للطاقة النانوية للأنظمة المحسنة من حيث التكلفة
TLV8812DGKR TI رقائق TLV8811 TLV8812 425 نانو أمبير مضخمات عمليات دقيقة للطاقة النانوية للأنظمة المحسنة من حيث التكلفة