Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

TLV8812DGKR TI чипы TLV8811 TLV8812 425 nA Точные наномощные оп-амперы для оптимизированных систем

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

TLV8812DGKR TI чипы TLV8811 TLV8812 425 nA Точные наномощные оп-амперы для оптимизированных систем

Название бренда:	TI chips
Номер модели:	TLV8812DGKR
минимальный заказ:	2500
Детали упаковки:	2500 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

TLV8812DGKR

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

Инкапсуляция:

Катушка

Рабочий ток источника питания:

425 nA

Степень скорости:

1,5 V/us

Поставка способности:

1000000

Выделить:

TLV8812DGKR

Чипы TLV8812 TI

425nA Op Amps

Описание продукта

TI TLV8811/TLV8812: Прецизионные нанопотребляющие операционные усилители с током 425 нА для оптимизированных по стоимости систем

Особенности

• Для оптимизированных по стоимости систем

• Ток питания в нанопотребляющем режиме: 425 нА/канал

• Напряжение смещения: 500 мкВ (макс.)

• TcVos: 1 мкВ/°C

• Коэффициент усиления по полосе пропускания: 6 кГц

• Стабильность при единичном усилении

• Низкий ток входного смещения: 100 фА

• Широкий диапазон питания: от 1,7 В до 5,5 В

• Выход Rail-to-Rail

• Без инверсии выхода

• EMI-защита

• Диапазон температур: от –40°C до 125°C

• Стандартные промышленные корпуса:

– Одноканальный в 5-выводном корпусе SOT-23

– Двухканальный в 8-выводном корпусе VSSOP

Применения

• Газоанализаторы (CO и O2 )

• PIR-детекторы движения

• Измерение тока

• Термостаты

• Удаленные датчики IoT (Интернет вещей)

• Активные считыватели и метки RFID

• Портативное медицинское оборудование

• Портативные глюкометры

Описание

Семейство прецизионных операционных усилителей с ультранизким энергопотреблением TLV8811 (одноканальный) и TLV8812 (двухканальный) идеально подходит для

оптимизированных по стоимости,

«всегда включенных» датчиков в беспроводном оборудовании с батарейным питанием и проводном оборудовании с низким энергопотреблением. Благодаря полосе пропускания 6 кГц при токе покоя 425 нА и точно настроенному напряжению смещения до менее

500 мкВ,

усилители TLV881x обеспечивают высокую точность при минимизации энергопотребления в таких устройствах, как газоанализаторы CO и портативные электронные устройства, где критически важен срок службы батареи. Они также имеют

КМОП-входную

каскад, обеспечивающий фемтоамперные токи смещения, что снижает ошибки BIAS и OS

, которые в противном случае повлияли бы на приложения с высокоимпедансными датчиками.

Кроме того,

встроенная

EMI-защита

снижает чувствительность к нежелательным радиочастотным сигналам от мобильных телефонов, Wi-Fi, радиопередатчиков и считывателей меток. Одноканальные и двухканальные версии TLV8811 и TLV8812 доступны в стандартных промышленных корпусах SOT-23 (5 выводов) и VSSOP (8 выводов) соответственно.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

TLV8812DGKR TI чипы TLV8811 TLV8812 425 nA Точные наномощные оп-амперы для оптимизированных систем

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI