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Detalles de los productos

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Chip Infineon
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IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de Potencia Modo de mejora

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de Potencia Modo de mejora

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: IPB70N04S4-06
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
China
modelo:
IPB70N04S4-06
Nombre del producto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ +175°C
Disipación de energía:
58 W
Corriente continua del dren:
70 A
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

IPB70N04S4-06

,

IPB70N04S4 Infineon N-Channel MOSFET

,

N-Channel Modo de mejora

Descripción del Producto

Infineon Chip IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 Transistor de potencia Canal N - Modo de mejora


Características
Canal N - Modo de mejora 
Calificado AEC 
MSL1 hasta 260°C pico de reflujo 
175°C temperatura de operación 
Producto Verde (conforme a RoHS) 
100% probado en avalancha

Resumen del producto
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de Potencia Modo de mejora

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de Potencia Modo de mejora

Máximas clasificaciones, a T j =25 °C, a menos que se especifique lo contrario
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de Potencia Modo de mejora

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de Potencia Modo de mejora

Características eléctricas, a T j =25 °C, a menos que se especifique lo contrario
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de Potencia Modo de mejora